Name: TPN11006PL,LQ
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-TPN11006PLLQTR-ND
Price: 1.34285 EUR
Availability: InStock

Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

TPN11006PL,LQ
DigiKeyn tuotenumero	264-TPN11006PLLQTR-ND - Rullattu teippi (TR) 264-TPN11006PLLQCT-ND - Cut Tape (CT) 264-TPN11006PLLQDKR-ND - Digi-Reel®
Valmistaja	Toshiba Semiconductor and Storage
Valmistajan tuotenumero	TPN11006PL,LQ
Kuvaus	MOSFET N-CH 60V 26A 8TSON
Valmistajan vakio toimitusaika	16 viikkoa
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	N-kanavatyyppi 60 V 26A (Tc) 610mW (Ta), 61W (Tc) Kiinnitys pintaan 8-TSON Advance (3,1x3,1)
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot

Tuotteen ominaisuudet

Näytä samankaltaiset tuotteet

Näytä tyhjät attribuutit

Kategoria Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET Yksittäiset FET-, MOSFET-transistorit	Vgs(th) (maks.) @ Id 2,5V @ 200µA
Valm. Toshiba Semiconductor and Storage	Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs 17 nC @ 10 V
Sarja U-MOSIX-H	Vgs (maks.) ±20V
Pakkaustapa Rullattu teippi (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®	Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds 1625 pF @ 30 V
Osan tila Aktiivinen	Tehohäviö (maks.) 610mW (Ta), 61W (Tc)
FET-tyyppi N-kanavatyyppi	Toimintalämpötila 175°C
Teknologia MOSFET (metallioksidi)	Asennustyyppi Kiinnitys pintaan
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss) 60 V	Valmistajan laitepakkaus 8-TSON Advance (3,1x3,1)
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C 26A (Tc)	Pakkaus / kotelo 8-PowerVDFN
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On) 4,5V, 10V	Päätuotenumero TPN11006
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs 11,4mOhm @ 13A, 10V

Ilmoita tuotetiedoissa olevasta virheestä

Dokumentit & media

Ympäristö- ja vientiluokitukset

Lisäresurssit

Varastossa: 3 625

Tutustu myös saapuviin tuotteisiin

Määrä

Kaikki hinnat ilmoitetaan rahayksikössä EUR

Cut Tape (CT) & Digi-Reel®

* Kaikkiin Digi-Reel-tilauksiin lisätään lisämaksu 5,50 €.

Rullattu teippi (TR)