Name: TPHR9003NL1,LQ
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-TPHR9003NL1LQTR-ND
Price: 2.6355 EUR
Availability: OutOfStock

N-kanavatyyppi 30 V 150A (Tc) 800mW (Ta), 170W (Tc) Kiinnitys pintaan 8-SOP Advance (5x5,75)

Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

TPHR9003NL1,LQ
DigiKeyn tuotenumero	264-TPHR9003NL1LQTR-ND - Rullattu teippi (TR) 264-TPHR9003NL1LQCT-ND - Cut Tape (CT) 264-TPHR9003NL1LQDKR-ND - Digi-Reel®
Valmistaja	Toshiba Semiconductor and Storage
Valmistajan tuotenumero	TPHR9003NL1,LQ
Kuvaus	UMOS9 SOP-ADV(N) PD=78W F=1MHZ
Valmistajan vakio toimitusaika	16 viikkoa
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	N-kanavatyyppi 30 V 150A (Tc) 800mW (Ta), 170W (Tc) Kiinnitys pintaan 8-SOP Advance (5x5,75)
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot

Tuotteen ominaisuudet

Näytä samankaltaiset tuotteet

Näytä tyhjät attribuutit

Kategoria Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET Yksittäiset FET-, MOSFET-transistorit	Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs 0,9mOhm @ 50A, 10V
Valm. Toshiba Semiconductor and Storage	Vgs(th) (maks.) @ Id 2,3V @ 1mA
Sarja U-MOSVIII-H	Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs 74 nC @ 10 V
Pakkaustapa Rullattu teippi (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®	Vgs (maks.) ±20V
Osan tila Aktiivinen	Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds 6900 pF @ 15 V
FET-tyyppi N-kanavatyyppi	Tehohäviö (maks.) 800mW (Ta), 170W (Tc)
Teknologia MOSFET (metallioksidi)	Toimintalämpötila 150°C
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss) 30 V	Asennustyyppi Kiinnitys pintaan
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C 150A (Tc)	Valmistajan laitepakkaus 8-SOP Advance (5x5,75)
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On) 4,5V, 10V	Pakkaus / kotelo 8-PowerTDFN