Name: TPH4R10ANL,L1Q
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-TPH4R10ANLL1QTR-ND
Price: 2.72335 EUR
Availability: InStock

N-kanavatyyppi 100 V 70A (Tc) 2,5W (Ta), 67W (Tc) Kiinnitys pintaan 8-SOP Advance (5x5)

Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

TPH4R10ANL,L1Q
DigiKeyn tuotenumero	264-TPH4R10ANLL1QTR-ND - Rullattu teippi (TR) 264-TPH4R10ANLL1QCT-ND - Cut Tape (CT) 264-TPH4R10ANLL1QDKR-ND - Digi-Reel®
Valmistaja	Toshiba Semiconductor and Storage
Valmistajan tuotenumero	TPH4R10ANL,L1Q
Kuvaus	MOSFET N-CH 100V 92A/70A 8SOP
Valmistajan vakio toimitusaika	16 viikkoa
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	N-kanavatyyppi 100 V 70A (Tc) 2,5W (Ta), 67W (Tc) Kiinnitys pintaan 8-SOP Advance (5x5)
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot
EDA/CAD-mallit	TPH4R10ANL,L1Q -mallit

Tuotteen ominaisuudet

Näytä samankaltaiset tuotteet

Näytä tyhjät attribuutit

Kategoria Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET Yksittäiset FET-, MOSFET-transistorit	Vgs(th) (maks.) @ Id 2,5V @ 1mA
Valm. Toshiba Semiconductor and Storage	Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs 75 nC @ 10 V
Sarja U-MOSVIII-H	Vgs (maks.) ±20V
Pakkaustapa Rullattu teippi (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®	Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds 6300 pF @ 50 V
Osan tila Aktiivinen	Tehohäviö (maks.) 2,5W (Ta), 67W (Tc)
FET-tyyppi N-kanavatyyppi	Toimintalämpötila 150°C
Teknologia MOSFET (metallioksidi)	Asennustyyppi Kiinnitys pintaan
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss) 100 V	Valmistajan laitepakkaus 8-SOP Advance (5x5)
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C 70A (Tc)	Pakkaus / kotelo 8-PowerVDFN
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On) 4,5V, 10V	Päätuotenumero TPH4R10
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs 4,1mOhm @ 35A, 10V