Name: TPH3R10AQM,LQ
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-TPH3R10AQMLQTR-ND
Price: 2.59785 EUR
Availability: InStock

Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

TPH3R10AQM,LQ
DigiKeyn tuotenumero	264-TPH3R10AQMLQTR-ND - Rullattu teippi (TR) 264-TPH3R10AQMLQCT-ND - Cut Tape (CT) 264-TPH3R10AQMLQDKR-ND - Digi-Reel®
Valmistaja	Toshiba Semiconductor and Storage
Valmistajan tuotenumero	TPH3R10AQM,LQ
Kuvaus	100V U-MOS X-H SOP-ADVANCE(N) 3.
Valmistajan vakio toimitusaika	16 viikkoa
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	N-kanavatyyppi 100 V 120A (Tc) 210W (Tc) Kiinnitys pintaan 8-SOP Advance (5x5,75)
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot
EDA/CAD-mallit	TPH3R10AQM,LQ -mallit

Tuotteen ominaisuudet

Tyyppi	Kuvaus	Valitse kaikki
Kategoria	Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET Yksittäiset FET-, MOSFET-transistorit
Valm.	Toshiba Semiconductor and Storage
Sarja	-
Pakkaustapa	Rullattu teippi (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Osan tila	Aktiivinen
FET-tyyppi	N-kanavatyyppi
Teknologia	MOSFET (metallioksidi)
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss)	100 V
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C	120A (Tc)
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On)	6V, 10V
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs	3,1mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (maks.) @ Id	3,5V @ 500µA
Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs	83 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±20V
Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds	7400 pF @ 50 V
FET-ominaisuus	-
Tehohäviö (maks.)	210W (Tc)
Toimintalämpötila	175°C
Luokka	-
Hyväksyntä	-
Asennustyyppi	Kiinnitys pintaan
Valmistajan laitepakkaus	8-SOP Advance (5x5,75)
Pakkaus / kotelo	8-PowerTDFN
Päätuotenumero	TPH3R10