TK65G10N1,RQ on vanhentunut, eikä sitä enää valmisteta.
Saatavana olevat korvaavat osat:

Samankaltainen


Toshiba Semiconductor and Storage
Varastossa: 4 453
Yksikköhinta : 21,31000 €
Tekniset tiedot

Samankaltainen


onsemi
Varastossa: 3
Yksikköhinta : 43,88000 €
Tekniset tiedot

Samankaltainen


STMicroelectronics
Varastossa: 1 125
Yksikköhinta : 36,57000 €
Tekniset tiedot
N-kanavatyyppi 100 V 65A (Ta) 156W (Tc) Kiinnitys pintaan D2PAK
Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.
N-kanavatyyppi 100 V 65A (Ta) 156W (Tc) Kiinnitys pintaan D2PAK
TK65G10N1,RQ

TK65G10N1,RQ

DigiKeyn tuotenumero
TK65G10N1RQTR-ND - Rullattu teippi (TR)
Valmistaja
Valmistajan tuotenumero
TK65G10N1,RQ
Kuvaus
MOSFET N-CH 100V 65A D2PAK
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus
N-kanavatyyppi 100 V 65A (Ta) 156W (Tc) Kiinnitys pintaan D2PAK
EDA/CAD-mallit
TK65G10N1,RQ -mallit
Tuotteen ominaisuudet
Tyyppi
Kuvaus
Valitse kaikki
Kategoria
Valm.
Sarja
Pakkaustapa
Rullattu teippi (TR)
Osan tila
Vanhentunut
FET-tyyppi
Teknologia
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss)
100 V
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On)
10V
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs
4,5mOhm @ 32,5A, 10V
Vgs(th) (maks.) @ Id
4V @ 1mA
Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs
81 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±20V
Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds
5400 pF @ 50 V
FET-ominaisuus
-
Tehohäviö (maks.)
156W (Tc)
Toimintalämpötila
150°C (TJ)
Luokka
-
Hyväksyntä
-
Asennustyyppi
Kiinnitys pintaan
Valmistajan laitepakkaus
D2PAK
Pakkaus / kotelo
Päätuotenumero
Tuotteita koskevat kysymykset ja vastaukset

Katso, mitä suunnittelijat kysyvät, tee kysymyksiä ja auta toisia DigiKeyn suunnitteluyhteisössä

Vanhentunut
Tätä tuotetta ei enää valmisteta. Näytä Korvaavat osat.