TK65G10N1,RQ Toshiba Semiconductor and Storage | Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina

TK65G10N1,RQ on vanhentunut, eikä sitä enää valmisteta.

Saatavana olevat korvaavat osat:

Samankaltainen

Toshiba Semiconductor and Storage

Varastossa: 6 726

Yksikköhinta : 1,90000 €

Samankaltainen

onsemi

Varastossa: 1 610

Yksikköhinta : 2,38000 €

Samankaltainen

STMicroelectronics

Varastossa: 150

Yksikköhinta : 3,49000 €

Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

TK65G10N1,RQ
DigiKeyn tuotenumero	TK65G10N1RQTR-ND - Rullattu teippi (TR)
Valmistaja	Toshiba Semiconductor and Storage
Valmistajan tuotenumero	TK65G10N1,RQ
Kuvaus	MOSFET N-CH 100V 65A D2PAK
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	N-kanavatyyppi 100 V 65A (Ta) 156W (Tc) Kiinnitys pintaan D2PAK
EDA/CAD-mallit	TK65G10N1,RQ -mallit

Tuotteen ominaisuudet

Tyyppi	Kuvaus	Valitse kaikki
Kategoria	Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET Yksittäiset FET-, MOSFET-transistorit
Valm.	Toshiba Semiconductor and Storage
Sarja	U-MOSVIII-H
Pakkaustapa	Rullattu teippi (TR)
Osan tila	Vanhentunut
FET-tyyppi	N-kanavatyyppi
Teknologia	MOSFET (metallioksidi)
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss)	100 V
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C	65A (Ta)
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On)	10V
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs	4,5mOhm @ 32,5A, 10V
Vgs(th) (maks.) @ Id	4V @ 1mA
Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs	81 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±20V
Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds	5400 pF @ 50 V
FET-ominaisuus	-
Tehohäviö (maks.)	156W (Tc)
Toimintalämpötila	150°C (TJ)
Luokka	-
Hyväksyntä	-
Asennustyyppi	Kiinnitys pintaan
Valmistajan laitepakkaus	D2PAK
Pakkaus / kotelo	TO-263-3, D2PAK (2 jalkaa + juotoskohta), TO-263AB
Päätuotenumero	TK65G10