TK65G10N1,RQ on vanhentunut, eikä sitä enää valmisteta.
Saatavana olevat korvaavat osat:

Samankaltainen


Toshiba Semiconductor and Storage
Varastossa: 4 178
Yksikköhinta : 2,15000 €
Tekniset tiedot

Samankaltainen


onsemi
Varastossa: 22
Yksikköhinta : 4,42000 €
Tekniset tiedot

Samankaltainen


STMicroelectronics
Varastossa: 49
Yksikköhinta : 3,68000 €
Tekniset tiedot
N-kanavatyyppi 100 V 65A (Ta) 156W (Tc) Kiinnitys pintaan D2PAK
Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.
N-kanavatyyppi 100 V 65A (Ta) 156W (Tc) Kiinnitys pintaan D2PAK
TK65G10N1,RQ

TK65G10N1,RQ

DigiKeyn tuotenumero
TK65G10N1RQTR-ND - Rullattu teippi (TR)
Valmistaja
Valmistajan tuotenumero
TK65G10N1,RQ
Kuvaus
MOSFET N-CH 100V 65A D2PAK
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus
N-kanavatyyppi 100 V 65A (Ta) 156W (Tc) Kiinnitys pintaan D2PAK
EDA/CAD-mallit
TK65G10N1,RQ -mallit
Tuotteen ominaisuudet
Näytä samankaltaiset tuotteet
Näytä tyhjät attribuutit
Kategoria
Vgs(th) (maks.) @ Id
4V @ 1mA
Valm.
Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs
81 nC @ 10 V
Sarja
Vgs (maks.)
±20V
Pakkaustapa
Rullattu teippi (TR)
Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds
5400 pF @ 50 V
Osan tila
Vanhentunut
Tehohäviö (maks.)
156W (Tc)
FET-tyyppi
Toimintalämpötila
150°C (TJ)
Teknologia
Asennustyyppi
Kiinnitys pintaan
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss)
100 V
Valmistajan laitepakkaus
D2PAK
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C
Pakkaus / kotelo
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On)
10V
Päätuotenumero
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs
4,5mOhm @ 32,5A, 10V
Ympäristö- ja vientiluokitukset
Tuotteita koskevat kysymykset ja vastaukset
Lisäresurssit
Korvaa (3)
OsanumeroValmistaja Saatavana oleva määräDigiKeyn tuotenumero Yksikköhinta Korvaava tyyppi
TPH3R70APL,L1QToshiba Semiconductor and Storage4 178264-TPH3R70APLL1QCT-ND2,15000 €Samankaltainen
FDB047N10onsemi22FDB047N10CT-ND4,42000 €Samankaltainen
STH150N10F7-2STMicroelectronics49497-14979-1-ND3,68000 €Samankaltainen
Vanhentunut
Tätä tuotetta ei enää valmisteta. Näytä Korvaavat osat.