Name: TK60S06K3L(T6L1,NQ
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-TK60S06K3L(T6L1,NQTR-ND
Price: 2.7108 EUR
Availability: InStock

Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

TK60S06K3L(T6L1,NQ
DigiKeyn tuotenumero	264-TK60S06K3L(T6L1,NQTR-ND - Rullattu teippi (TR) 264-TK60S06K3L(T6L1,NQCT-ND - Cut Tape (CT) 264-TK60S06K3L(T6L1,NQDKR-ND - Digi-Reel®
Valmistaja	Toshiba Semiconductor and Storage
Valmistajan tuotenumero	TK60S06K3L(T6L1,NQ
Kuvaus	MOSFET N-CH 60V 60A DPAK
Valmistajan vakio toimitusaika	16 viikkoa
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	N-kanavatyyppi 60 V 60A (Ta) 88W (Tc) Kiinnitys pintaan DPAK+
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot
EDA/CAD-mallit	TK60S06K3L(T6L1,NQ -mallit

Tuotteen ominaisuudet

Tyyppi	Kuvaus	Valitse kaikki
Kategoria	Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET Yksittäiset FET-, MOSFET-transistorit
Valm.	Toshiba Semiconductor and Storage
Sarja	U-MOSIV
Pakkaustapa	Rullattu teippi (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Osan tila	Aktiivinen
FET-tyyppi	N-kanavatyyppi
Teknologia	MOSFET (metallioksidi)
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss)	60 V
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C	60A (Ta)
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On)	6V, 10V
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs	8mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (maks.) @ Id	3V @ 1mA
Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs	60 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±20V
Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds	2900 pF @ 10 V
FET-ominaisuus	-
Tehohäviö (maks.)	88W (Tc)
Toimintalämpötila	175°C (TJ)
Luokka	-
Hyväksyntä	-
Asennustyyppi	Kiinnitys pintaan
Valmistajan laitepakkaus	DPAK+
Pakkaus / kotelo	TO-252-3, DPAK (2 jalkaa + juotoskohta), SC-63
Päätuotenumero	TK60S06