Name: TK5R3E08QM,S1X
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-TK5R3E08QMS1X-ND
Price: 3.0622 EUR
Availability: InStock

Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

TK5R3E08QM,S1X
DigiKeyn tuotenumero	264-TK5R3E08QMS1X-ND
Valmistaja	Toshiba Semiconductor and Storage
Valmistajan tuotenumero	TK5R3E08QM,S1X
Kuvaus	UMOS10 TO-220AB 80V 5.3MOHM
Valmistajan vakio toimitusaika	16 viikkoa
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	N-kanavatyyppi 80 V 120A (Tc) 150W (Tc) Läpivientiaukko TO-220
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot
EDA/CAD-mallit	TK5R3E08QM,S1X -mallit

Tuotteen ominaisuudet

Näytä samankaltaiset tuotteet

Näytä tyhjät attribuutit

Kategoria Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET Yksittäiset FET-, MOSFET-transistorit	Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs 5,3mOhm @ 50A, 10V
Valm. Toshiba Semiconductor and Storage	Vgs(th) (maks.) @ Id 3,5V @ 700µA
Sarja U-MOSX-H	Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs 55 nC @ 10 V
Pakkaustapa Putki	Vgs (maks.) ±20V
Osan tila Aktiivinen	Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds 3980 pF @ 40 V
FET-tyyppi N-kanavatyyppi	Tehohäviö (maks.) 150W (Tc)
Teknologia MOSFET (metallioksidi)	Toimintalämpötila 175°C
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss) 80 V	Asennustyyppi Läpivientiaukko
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C 120A (Tc)	Valmistajan laitepakkaus TO-220
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On) 6V, 10V	Pakkaus / kotelo TO-220-3

Ilmoita tuotetiedoissa olevasta virheestä

Dokumentit & media

Ympäristö- ja vientiluokitukset

Lisäresurssit

Varastossa: 63

Tutustu myös saapuviin tuotteisiin

Määrä

Kaikki hinnat ilmoitetaan rahayksikössä EUR

Putki

Valmistajien vakiokoko

Huomaa: DigiKeyn lisäarvopalveluista johtuen pakkaustyyppi voi muuttua, kun tuotetta ostetaan vakiokokoa pienempiä määriä.

Yksikköhinta ilman ALV-veroa:	2,44000 €
Yksikköhinta ALV-veron kanssa:	3,06220 €

TK5R3E08QM,S1X