Name: TK55S10N1,LXHQ
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-TK55S10N1LXHQTR-ND
Price: 2.2088 EUR
Availability: InStock

Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

TK55S10N1,LXHQ
DigiKeyn tuotenumero	264-TK55S10N1LXHQTR-ND - Rullattu teippi (TR) 264-TK55S10N1LXHQCT-ND - Cut Tape (CT) 264-TK55S10N1LXHQDKR-ND - Digi-Reel®
Valmistaja	Toshiba Semiconductor and Storage
Valmistajan tuotenumero	TK55S10N1,LXHQ
Kuvaus	MOSFET N-CH 100V 55A DPAK
Valmistajan vakio toimitusaika	74 viikkoa
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	N-kanavatyyppi 100 V 55A (Ta) 157W (Tc) Kiinnitys pintaan DPAK+
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot
EDA/CAD-mallit	TK55S10N1,LXHQ -mallit

Tuotteen ominaisuudet

Tyyppi	Kuvaus	Valitse kaikki
Kategoria	Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET Yksittäiset FET-, MOSFET-transistorit
Valm.	Toshiba Semiconductor and Storage
Sarja	U-MOSVIII-H
Pakkaustapa	Rullattu teippi (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Osan tila	Aktiivinen
FET-tyyppi	N-kanavatyyppi
Teknologia	MOSFET (metallioksidi)
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss)	100 V
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C	55A (Ta)
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On)	10V
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs	6,5mOhm @ 27,5A, 10V
Vgs(th) (maks.) @ Id	4V @ 500µA
Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs	49 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±20V
Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds	3280 pF @ 10 V
FET-ominaisuus	-
Tehohäviö (maks.)	157W (Tc)
Toimintalämpötila	175°C
Luokka	Autoteollisuus
Hyväksyntä	AEC-Q101
Asennustyyppi	Kiinnitys pintaan
Valmistajan laitepakkaus	DPAK+
Pakkaus / kotelo	TO-252-3, DPAK (2 jalkaa + juotoskohta), SC-63
Päätuotenumero	TK55S10