Name: TK3R1P04PL,RQ
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: TK3R1P04PLRQTR-ND
Price: 2.1586 EUR
Availability: InStock

Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

TK3R1P04PL,RQ
DigiKeyn tuotenumero	TK3R1P04PLRQTR-ND - Rullattu teippi (TR) TK3R1P04PLRQCT-ND - Cut Tape (CT) TK3R1P04PLRQDKR-ND - Digi-Reel®
Valmistaja	Toshiba Semiconductor and Storage
Valmistajan tuotenumero	TK3R1P04PL,RQ
Kuvaus	MOSFET N-CHANNEL 40V 58A DPAK
Valmistajan vakio toimitusaika	16 viikkoa
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	N-kanavatyyppi 40 V 58A (Tc) 87W (Tc) Kiinnitys pintaan DPAK
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot
EDA/CAD-mallit	TK3R1P04PL,RQ -mallit

Tuotteen ominaisuudet

Tyyppi	Kuvaus	Valitse kaikki
Kategoria	Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET Yksittäiset FET-, MOSFET-transistorit
Valm.	Toshiba Semiconductor and Storage
Sarja	U-MOSIX-H
Pakkaustapa	Rullattu teippi (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Osan tila	Aktiivinen
FET-tyyppi	N-kanavatyyppi
Teknologia	MOSFET (metallioksidi)
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss)	40 V
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C	58A (Tc)
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On)	4,5V, 10V
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs	3,1mOhm @ 29A, 10V
Vgs(th) (maks.) @ Id	2,4V @ 500µA
Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs	60 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±20V
Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds	4670 pF @ 20 V
FET-ominaisuus	-
Tehohäviö (maks.)	87W (Tc)
Toimintalämpötila	175°C
Luokka	-
Hyväksyntä	-
Asennustyyppi	Kiinnitys pintaan
Valmistajan laitepakkaus	DPAK
Pakkaus / kotelo	TO-252-3, DPAK (2 jalkaa + juotoskohta), SC-63
Päätuotenumero	TK3R1P04