Name: TK3P80E,RQ
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-TK3P80E,RQTR-ND
Price: 2.14605 EUR
Availability: InStock

Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

TK3P80E,RQ
DigiKeyn tuotenumero	264-TK3P80E,RQTR-ND - Rullattu teippi (TR) 264-TK3P80E,RQCT-ND - Cut Tape (CT) 264-TK3P80E,RQDKR-ND - Digi-Reel®
Valmistaja	Toshiba Semiconductor and Storage
Valmistajan tuotenumero	TK3P80E,RQ
Kuvaus	PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR DPA
Valmistajan vakio toimitusaika	16 viikkoa
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	N-kanavatyyppi 800 V 3A (Ta) 80W (Tc) Kiinnitys pintaan DPAK
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot

Tuotteen ominaisuudet

Näytä samankaltaiset tuotteet

Näytä tyhjät attribuutit

Kategoria Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET Yksittäiset FET-, MOSFET-transistorit	Vgs(th) (maks.) @ Id 4V @ 300µA
Valm. Toshiba Semiconductor and Storage	Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs 12 nC @ 10 V
Pakkaustapa Rullattu teippi (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®	Vgs (maks.) ±30V
Osan tila Aktiivinen	Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds 500 pF @ 25 V
FET-tyyppi N-kanavatyyppi	Tehohäviö (maks.) 80W (Tc)
Teknologia MOSFET (metallioksidi)	Toimintalämpötila 150°C
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss) 800 V	Asennustyyppi Kiinnitys pintaan
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C 3A (Ta)	Valmistajan laitepakkaus DPAK
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On) 10V	Pakkaus / kotelo TO-252-3, DPAK (2 jalkaa + juotoskohta), SC-63
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs 4,9Ohm @ 1,5A, 10V