Name: TK30E06N1,S1X
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: TK30E06N1S1X-ND
Price: 1.5813 EUR
Availability: InStock

Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

TK30E06N1,S1X
DigiKeyn tuotenumero	TK30E06N1S1X-ND
Valmistaja	Toshiba Semiconductor and Storage
Valmistajan tuotenumero	TK30E06N1,S1X
Kuvaus	MOSFET N-CH 60V 43A TO220
Valmistajan vakio toimitusaika	16 viikkoa
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	N-kanavatyyppi 60 V 43A (Ta) 53W (Tc) Läpivientiaukko TO-220
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot
EDA/CAD-mallit	TK30E06N1,S1X -mallit

Tuotteen ominaisuudet

Tyyppi	Kuvaus	Valitse kaikki
Kategoria	Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET Yksittäiset FET-, MOSFET-transistorit
Valm.	Toshiba Semiconductor and Storage
Sarja	U-MOSVIII-H
Pakkaustapa	Putki
Osan tila	Aktiivinen
FET-tyyppi	N-kanavatyyppi
Teknologia	MOSFET (metallioksidi)
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss)	60 V
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C	43A (Ta)
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On)	10V
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs	15mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (maks.) @ Id	4V @ 200µA
Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs	16 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±20V
Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds	1050 pF @ 30 V
FET-ominaisuus	-
Tehohäviö (maks.)	53W (Tc)
Toimintalämpötila	150°C (TJ)
Luokka	-
Hyväksyntä	-
Asennustyyppi	Läpivientiaukko
Valmistajan laitepakkaus	TO-220
Pakkaus / kotelo	TO-220-3
Päätuotenumero	TK30E06

Product Questions and Answers

See what engineers are asking, ask your own questions, or help out a member of the DigiKey engineering community

Varastossa: 24

Tutustu myös saapuviin tuotteisiin

Määrä

Kaikki hinnat ilmoitetaan rahayksikössä EUR

Putki