Name: TK2R9E10PL,S1X
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-TK2R9E10PL,S1X-ND
Price: 4.80665 EUR
Availability: InStock

Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

TK2R9E10PL,S1X
DigiKeyn tuotenumero	264-TK2R9E10PL,S1X-ND
Valmistaja	Toshiba Semiconductor and Storage
Valmistajan tuotenumero	TK2R9E10PL,S1X
Kuvaus	PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO-
Valmistajan vakio toimitusaika	16 viikkoa
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	N-kanavatyyppi 100 V 100A (Ta) 306W (Tc) Läpivientiaukko TO-220
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot

Tuotteen ominaisuudet

Näytä samankaltaiset tuotteet

Näytä tyhjät attribuutit

Kategoria Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET Yksittäiset FET-, MOSFET-transistorit	Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs 2,9mOhm @ 50A, 10V
Valm. Toshiba Semiconductor and Storage	Vgs(th) (maks.) @ Id 2,5V @ 1mA
Sarja U-MOSIX-H	Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs 161 nC @ 10 V
Pakkaustapa Putki	Vgs (maks.) ±20V
Osan tila Aktiivinen	Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds 9500 pF @ 50 V
FET-tyyppi N-kanavatyyppi	Tehohäviö (maks.) 306W (Tc)
Teknologia MOSFET (metallioksidi)	Toimintalämpötila 175°C
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss) 100 V	Asennustyyppi Läpivientiaukko
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C 100A (Ta)	Valmistajan laitepakkaus TO-220
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On) 4,5V, 10V	Pakkaus / kotelo TO-220-3

Ilmoita tuotetiedoissa olevasta virheestä

Dokumentit & media

Ympäristö- ja vientiluokitukset

Lisäresurssit

Varastossa: 4

Tutustu myös saapuviin tuotteisiin

Määrä

Kaikki hinnat ilmoitetaan rahayksikössä EUR

Putki