Name: TK200F04N1L,LXGQ
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-TK200F04N1LLXGQTR-ND
Price: 5.15805 EUR
Availability: InStock

N-kanavatyyppi 40 V 200A (Ta) 375W (Tc) Kiinnitys pintaan TO-220SM(W)

Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

TK200F04N1L,LXGQ
DigiKeyn tuotenumero	264-TK200F04N1LLXGQTR-ND - Rullattu teippi (TR) 264-TK200F04N1LLXGQCT-ND - Cut Tape (CT) 264-TK200F04N1LLXGQDKR-ND - Digi-Reel®
Valmistaja	Toshiba Semiconductor and Storage
Valmistajan tuotenumero	TK200F04N1L,LXGQ
Kuvaus	MOSFET N-CH 40V 200A TO220SM
Valmistajan vakio toimitusaika	32 viikkoa
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	N-kanavatyyppi 40 V 200A (Ta) 375W (Tc) Kiinnitys pintaan TO-220SM(W)
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot
EDA/CAD-mallit	TK200F04N1L,LXGQ -mallit

Tuotteen ominaisuudet

Näytä samankaltaiset tuotteet

Näytä tyhjät attribuutit

Kategoria Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET Yksittäiset FET-, MOSFET-transistorit	Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs 214 nC @ 10 V
Valm. Toshiba Semiconductor and Storage	Vgs (maks.) ±20V
Sarja U-MOSVIII-H	Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds 14920 pF @ 10 V
Pakkaustapa Rullattu teippi (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®	Tehohäviö (maks.) 375W (Tc)
Osan tila Aktiivinen	Toimintalämpötila 175°C
FET-tyyppi N-kanavatyyppi	Luokka Autoteollisuus
Teknologia MOSFET (metallioksidi)	Hyväksyntä AEC-Q101
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss) 40 V	Asennustyyppi Kiinnitys pintaan
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C 200A (Ta)	Valmistajan laitepakkaus TO-220SM(W)
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On) 6V, 10V	Pakkaus / kotelo TO-263-3, D2PAK (2 jalkaa + juotoskohta), TO-263AB
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs 0,9mOhm @ 100A, 10V	Päätuotenumero TK200F04
Vgs(th) (maks.) @ Id 3V @ 1mA