Name: TK16G60W,RVQ
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: TK16G60WRVQTR-ND
Price: 6.26245 EUR
Availability: InStock

Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

TK16G60W,RVQ
DigiKeyn tuotenumero	TK16G60WRVQTR-ND - Rullattu teippi (TR) TK16G60WRVQCT-ND - Cut Tape (CT) TK16G60WRVQDKR-ND - Digi-Reel®
Valmistaja	Toshiba Semiconductor and Storage
Valmistajan tuotenumero	TK16G60W,RVQ
Kuvaus	MOSFET N CH 600V 15.8A D2PAK
Valmistajan vakio toimitusaika	16 viikkoa
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	N-kanavatyyppi 600 V 15,8A (Ta) 130W (Tc) Kiinnitys pintaan D2PAK
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot
EDA/CAD-mallit	TK16G60W,RVQ -mallit

Tuotteen ominaisuudet

Näytä samankaltaiset tuotteet

Näytä tyhjät attribuutit

Kategoria Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET Yksittäiset FET-, MOSFET-transistorit	Vgs(th) (maks.) @ Id 3,7V @ 790µA
Valm. Toshiba Semiconductor and Storage	Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs 38 nC @ 10 V
Sarja DTMOSIV	Vgs (maks.) ±30V
Pakkaustapa Rullattu teippi (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®	Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds 1350 pF @ 300 V
Osan tila Aktiivinen	Tehohäviö (maks.) 130W (Tc)
FET-tyyppi N-kanavatyyppi	Toimintalämpötila 150°C (TJ)
Teknologia MOSFET (metallioksidi)	Asennustyyppi Kiinnitys pintaan
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss) 600 V	Valmistajan laitepakkaus D2PAK
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C 15,8A (Ta)	Pakkaus / kotelo TO-263-3, D2PAK (2 jalkaa + juotoskohta), TO-263AB
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On) 10V	Päätuotenumero TK16G60
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs 190mOhm @ 7,9A, 10V

Ilmoita tuotetiedoissa olevasta virheestä

Dokumentit & media

Ympäristö- ja vientiluokitukset

Lisäresurssit

Korvaa (2)

Osanumero	Valmistaja	Saatavana oleva määrä	DigiKeyn tuotenumero	Yksikköhinta	Korvaava tyyppi
IPB60R160C6ATMA1	Infineon Technologies	1 092	IPB60R160C6ATMA1CT-ND	4,28000 €	Samankaltainen
IPB60R165CPATMA1	Infineon Technologies	4 804	IPB60R165CPATMA1CT-ND	5,03000 €	Samankaltainen