TK13A60D(STA4,Q,M) on vanhentunut, eikä sitä enää valmisteta.
Saatavana olevat korvaavat osat:

Suora


Toshiba Semiconductor and Storage
Varastossa: 0
Yksikköhinta : 0,00000 €
Tekniset tiedot

Samankaltainen


Rochester Electronics, LLC
Varastossa: 31 924
Yksikköhinta : 1,17000 €
Tekniset tiedot

Samankaltainen


Rohm Semiconductor
Varastossa: 500
Yksikköhinta : 3,48000 €
Tekniset tiedot

Samankaltainen


Rohm Semiconductor
Varastossa: 337
Yksikköhinta : 2,33000 €
Tekniset tiedot

Samankaltainen


Vishay Siliconix
Varastossa: 814
Yksikköhinta : 2,81000 €
Tekniset tiedot

Samankaltainen


Vishay Siliconix
Varastossa: 0
Yksikköhinta : 2,69000 €
Tekniset tiedot

Samankaltainen


Infineon Technologies
Varastossa: 136
Yksikköhinta : 2,44000 €
Tekniset tiedot

Samankaltainen


STMicroelectronics
Varastossa: 1 784
Yksikköhinta : 1,94000 €
Tekniset tiedot

Samankaltainen


STMicroelectronics
Varastossa: 353
Yksikköhinta : 3,59000 €
Tekniset tiedot

Samankaltainen


STMicroelectronics
Varastossa: 378
Yksikköhinta : 2,27000 €
Tekniset tiedot

Samankaltainen


STMicroelectronics
Varastossa: 0
Yksikköhinta : 0,75494 €
Tekniset tiedot

Samankaltainen


STMicroelectronics
Varastossa: 952
Yksikköhinta : 4,59000 €
Tekniset tiedot

Samankaltainen


STMicroelectronics
Varastossa: 1 263
Yksikköhinta : 1,83000 €
Tekniset tiedot

Samankaltainen


STMicroelectronics
Varastossa: 782
Yksikköhinta : 3,09000 €
Tekniset tiedot
TO-220-3 Full Pack
Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

TK13A60D(STA4,Q,M)

DigiKeyn tuotenumero
TK13A60DSTA4QM-ND
Valmistaja
Valmistajan tuotenumero
TK13A60D(STA4,Q,M)
Kuvaus
MOSFET N-CH 600V 13A TO220SIS
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus
N-kanavatyyppi 600 V 13A (Ta) 50W (Tc) Läpivientiaukko TO-220SIS
Tekniset tiedot
 Tekniset tiedot
Tuotteen ominaisuudet
Tyyppi
Kuvaus
Valitse kaikki
Kategoria
Valm.
Sarja
Pakkaustapa
Putki
Osan tila
Vanhentunut
FET-tyyppi
Teknologia
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss)
600 V
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On)
10V
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs
430mOhm @ 6,5A, 10V
Vgs(th) (maks.) @ Id
4V @ 1mA
Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs
40 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±30V
Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds
2300 pF @ 25 V
FET-ominaisuus
-
Tehohäviö (maks.)
50W (Tc)
Toimintalämpötila
150°C (TJ)
Luokka
-
Hyväksyntä
-
Asennustyyppi
Läpivientiaukko
Valmistajan laitepakkaus
TO-220SIS
Pakkaus / kotelo
Päätuotenumero
Tuotteita koskevat kysymykset ja vastaukset

Katso, mitä suunnittelijat kysyvät, tee kysymyksiä ja auta toisia DigiKeyn suunnitteluyhteisössä

Vanhentunut
Tätä tuotetta ei enää valmisteta. Näytä Korvaavat osat.