Name: TK12E80W,S1X
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: TK12E80WS1X-ND
Price: 5.6224 EUR
Availability: OutOfStock

Tarvitsetko apua?

Palaute

Tietoja DigiKeystä Markkinapaikka Myy DigiKey.com-verkkokaupassa Työpaikat Sivustokartta Digitaaliset ratkaisut Uutiset

Käyttäjätuki Tilauksen status Toimituskulut ja toimitusvaihtoehdot Palautukset ja ongelmat tilausten kanssa

(+358) 9 817 105 74 eu.support@digikey.com

TK12E80W,S1X
DigiKeyn tuotenumero	TK12E80WS1X-ND
Valmistaja	Toshiba Semiconductor and Storage
Valmistajan tuotenumero	TK12E80W,S1X
Kuvaus	MOSFET N-CH 800V 11.5A TO220
Valmistajan vakio toimitusaika	16 viikkoa
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	N-kanavatyyppi 800 V 11,5A (Ta) 165W (Tc) Läpivientiaukko TO-220
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot
EDA/CAD-mallit	TK12E80W,S1X -mallit

Tyyppi	Kuvaus	Valitse kaikki
Kategoria	Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET Yksittäiset FET-, MOSFET-transistorit
Valm.	Toshiba Semiconductor and Storage
Sarja	DTMOSIV
Pakkaustapa	Putki
Osan tila	Aktiivinen
FET-tyyppi	N-kanavatyyppi
Teknologia	MOSFET (metallioksidi)
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss)	800 V
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C	11,5A (Ta)
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On)	10V
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs	450mOhm @ 5,8A, 10V
Vgs(th) (maks.) @ Id	4V @ 570µA
Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs	23 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±20V
Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds	1400 pF @ 300 V
FET-ominaisuus	-
Tehohäviö (maks.)	165W (Tc)
Toimintalämpötila	150°C
Luokka	-
Hyväksyntä	-
Asennustyyppi	Läpivientiaukko
Valmistajan laitepakkaus	TO-220
Pakkaus / kotelo	TO-220-3
Päätuotenumero	TK12E80

Yksikköhinta ilman ALV-veroa:	4,48000 €
Yksikköhinta ALV-veron kanssa:	5,62240 €

TK12E80W,S1X