Name: TK080N60Z1,S1F
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-TK080N60Z1S1F-ND
Price: 7.5049 EUR
Availability: InStock

Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

TK080N60Z1,S1F
DigiKeyn tuotenumero	264-TK080N60Z1S1F-ND
Valmistaja	Toshiba Semiconductor and Storage
Valmistajan tuotenumero	TK080N60Z1,S1F
Kuvaus	600V DTMOS6 TO-247 80MOHM
Valmistajan vakio toimitusaika	16 viikkoa
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	N-kanavatyyppi 600 V 30A (Ta) 211W (Tc) Läpivientiaukko TO-247
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot

Tuotteen ominaisuudet

Näytä samankaltaiset tuotteet

Näytä tyhjät attribuutit

Kategoria Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET Yksittäiset FET-, MOSFET-transistorit	Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs 80mOhm @ 10,3A, 10V
Valm. Toshiba Semiconductor and Storage	Vgs(th) (maks.) @ Id 4V @ 1,17mA
Sarja DTMOSVI	Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs 43 nC @ 10 V
Pakkaustapa Putki	Vgs (maks.) ±30V
Osan tila Aktiivinen	Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds 2510 pF @ 300 V
FET-tyyppi N-kanavatyyppi	Tehohäviö (maks.) 211W (Tc)
Teknologia MOSFET (metallioksidi)	Toimintalämpötila 150°C
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss) 600 V	Asennustyyppi Läpivientiaukko
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C 30A (Ta)	Valmistajan laitepakkaus TO-247
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On) 10V	Pakkaus / kotelo TO-247-3