Name: TJ90S04M3L,LQ
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-TJ90S04M3L,LQTR-ND
Price: 3.1877 EUR
Availability: InStock

Tarvitsetko apua?

Palaute

Tietoja DigiKeystä Markkinapaikka Myy DigiKey.com-verkkokaupassa Työpaikat Sivustokartta Digitaaliset ratkaisut Uutiset

Käyttäjätuki Tilauksen status Toimituskulut ja toimitusvaihtoehdot Palautukset ja ongelmat tilausten kanssa

(+358) 9 817 105 74 eu.support@digikey.com

TJ90S04M3L,LQ
DigiKeyn tuotenumero	264-TJ90S04M3L,LQTR-ND - Rullattu teippi (TR) 264-TJ90S04M3L,LQCT-ND - Cut Tape (CT) 264-TJ90S04M3L,LQDKR-ND - Digi-Reel®
Valmistaja	Toshiba Semiconductor and Storage
Valmistajan tuotenumero	TJ90S04M3L,LQ
Kuvaus	PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR DPA
Valmistajan vakio toimitusaika	16 viikkoa
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	P-kanava 40 V 90A (Ta) 180W (Tc) Kiinnitys pintaan DPAK+
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot

Tyyppi	Kuvaus	Valitse kaikki
Kategoria	Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET Yksittäiset FET-, MOSFET-transistorit
Valm.	Toshiba Semiconductor and Storage
Sarja	U-MOSVI
Pakkaustapa	Rullattu teippi (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Osan tila	Aktiivinen
FET-tyyppi	P-kanava
Teknologia	MOSFET (metallioksidi)
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss)	40 V
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C	90A (Ta)
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On)	4,5V, 10V
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs	4,3mOhm @ 45A, 10V
Vgs(th) (maks.) @ Id	2V @ 1mA
Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs	172 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	+10V, -20V
Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds	7700 pF @ 10 V
FET-ominaisuus	-
Tehohäviö (maks.)	180W (Tc)
Toimintalämpötila	175°C
Luokka	Autoteollisuus
Hyväksyntä	AEC-Q101
Asennustyyppi	Kiinnitys pintaan
Valmistajan laitepakkaus	DPAK+
Pakkaus / kotelo	TO-252-3, DPAK (2 jalkaa + juotoskohta), SC-63

Yksikköhinta ilman ALV-veroa:	2,54000 €
Yksikköhinta ALV-veron kanssa:	3,18770 €

TJ90S04M3L,LQ