Name: TJ30S06M3L(T6L1,NQ
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-TJ30S06M3L(T6L1NQTR-ND
Price: 1.71935 EUR
Availability: InStock

Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

TJ30S06M3L(T6L1,NQ
DigiKeyn tuotenumero	264-TJ30S06M3L(T6L1NQTR-ND - Rullattu teippi (TR) 264-TJ30S06M3L(T6L1NQCT-ND - Cut Tape (CT) 264-TJ30S06M3L(T6L1NQDKR-ND - Digi-Reel®
Valmistaja	Toshiba Semiconductor and Storage
Valmistajan tuotenumero	TJ30S06M3L(T6L1,NQ
Kuvaus	MOSFET P-CH 60V 30A DPAK
Valmistajan vakio toimitusaika	16 viikkoa
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	P-kanava 60 V 30A (Ta) 68W (Tc) Kiinnitys pintaan DPAK+
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot
EDA/CAD-mallit	TJ30S06M3L(T6L1,NQ -mallit

Tuotteen ominaisuudet

Tyyppi	Kuvaus	Valitse kaikki
Kategoria	Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET Yksittäiset FET-, MOSFET-transistorit
Valm.	Toshiba Semiconductor and Storage
Sarja	U-MOSVI
Pakkaustapa	Rullattu teippi (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Osan tila	Aktiivinen
FET-tyyppi	P-kanava
Teknologia	MOSFET (metallioksidi)
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss)	60 V
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C	30A (Ta)
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On)	6V, 10V
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs	21,8mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (maks.) @ Id	3V @ 1mA
Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs	80 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	+10V, -20V
Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds	3950 pF @ 10 V
FET-ominaisuus	-
Tehohäviö (maks.)	68W (Tc)
Toimintalämpötila	175°C (TJ)
Luokka	-
Hyväksyntä	-
Asennustyyppi	Kiinnitys pintaan
Valmistajan laitepakkaus	DPAK+
Pakkaus / kotelo	TO-252-3, DPAK (2 jalkaa + juotoskohta), SC-63
Päätuotenumero	TJ30S06