Name: TJ30S06M3L(T6L1,NQ
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-TJ30S06M3L(T6L1NQTR-ND
Price: 2.59785 EUR
Availability: InStock

P-kanava 60 V 30A (Ta) 68W (Tc) Kiinnitys pintaan DPAK+

Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

TJ30S06M3L(T6L1,NQ
DigiKeyn tuotenumero	264-TJ30S06M3L(T6L1NQTR-ND - Rullattu teippi (TR) 264-TJ30S06M3L(T6L1NQCT-ND - Cut Tape (CT) 264-TJ30S06M3L(T6L1NQDKR-ND - Digi-Reel®
Valmistaja	Toshiba Semiconductor and Storage
Valmistajan tuotenumero	TJ30S06M3L(T6L1,NQ
Kuvaus	MOSFET P-CH 60V 30A DPAK
Valmistajan vakio toimitusaika	12 viikkoa
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	P-kanava 60 V 30A (Ta) 68W (Tc) Kiinnitys pintaan DPAK+
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot
EDA/CAD-mallit	TJ30S06M3L(T6L1,NQ -mallit

Tuotteen ominaisuudet

Näytä samankaltaiset tuotteet

Näytä tyhjät attribuutit

Kategoria Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET Yksittäiset FET-, MOSFET-transistorit	Vgs(th) (maks.) @ Id 3V @ 1mA
Valm. Toshiba Semiconductor and Storage	Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs 80 nC @ 10 V
Sarja U-MOSVI	Vgs (maks.) +10V, -20V
Pakkaustapa Rullattu teippi (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®	Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds 3950 pF @ 10 V
Osan tila Aktiivinen	Tehohäviö (maks.) 68W (Tc)
FET-tyyppi P-kanava	Toimintalämpötila 175°C (TJ)
Teknologia MOSFET (metallioksidi)	Asennustyyppi Kiinnitys pintaan
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss) 60 V	Valmistajan laitepakkaus DPAK+
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C 30A (Ta)	Pakkaus / kotelo TO-252-3, DPAK (2 jalkaa + juotoskohta), SC-63
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On) 6V, 10V	Päätuotenumero TJ30S06
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs 21,8mOhm @ 15A, 10V