Name: SSM6K514NU,LF
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: SSM6K514NULFTR-ND
Price: 0.7028 EUR
Availability: InStock

Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

SSM6K514NU,LF
DigiKeyn tuotenumero	SSM6K514NULFTR-ND - Rullattu teippi (TR) SSM6K514NULFCT-ND - Cut Tape (CT) SSM6K514NULFDKR-ND - Digi-Reel®
Valmistaja	Toshiba Semiconductor and Storage
Valmistajan tuotenumero	SSM6K514NU,LF
Kuvaus	MOSFET N-CH 40V 12A 6UDFNB
Valmistajan vakio toimitusaika	12 viikkoa
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	N-kanavatyyppi 40 V 12A (Ta) 2,5W (Ta) Kiinnitys pintaan 6-UDFNB (2x2)
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot
EDA/CAD-mallit	SSM6K514NU,LF -mallit

Tuotteen ominaisuudet

Tyyppi	Kuvaus	Valitse kaikki
Kategoria	Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET Yksittäiset FET-, MOSFET-transistorit
Valm.	Toshiba Semiconductor and Storage
Sarja	U-MOSIX-H
Pakkaustapa	Rullattu teippi (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Osan tila	Aktiivinen
FET-tyyppi	N-kanavatyyppi
Teknologia	MOSFET (metallioksidi)
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss)	40 V
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C	12A (Ta)
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On)	4,5V, 10V
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs	11,6mOhm @ 4A, 10V
Vgs(th) (maks.) @ Id	2,4V @ 100µA
Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs	7.5 nC @ 4.5 V
Vgs (maks.)	±20V
Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds	1110 pF @ 20 V
FET-ominaisuus	-
Tehohäviö (maks.)	2,5W (Ta)
Toimintalämpötila	150°C
Luokka	-
Hyväksyntä	-
Asennustyyppi	Kiinnitys pintaan
Valmistajan laitepakkaus	6-UDFNB (2x2)
Pakkaus / kotelo	6-WDFN avoin juotoskohta
Päätuotenumero	SSM6K514