Name: SSM6K361NU,LF
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: SSM6K361NULFTR-ND
Price: 0.71535 EUR
Availability: InStock

Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

SSM6K361NU,LF
DigiKeyn tuotenumero	SSM6K361NULFTR-ND - Rullattu teippi (TR) SSM6K361NULFCT-ND - Cut Tape (CT) SSM6K361NULFDKR-ND - Digi-Reel®
Valmistaja	Toshiba Semiconductor and Storage
Valmistajan tuotenumero	SSM6K361NU,LF
Kuvaus	MOSFET N-CH 100V 3.5A 6UDFNB
Valmistajan vakio toimitusaika	12 viikkoa
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	N-kanavatyyppi 100 V 3,5A (Ta) 1,25W (Ta) Kiinnitys pintaan 6-UDFNB (2x2)
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot
EDA/CAD-mallit	SSM6K361NU,LF -mallit

Tuotteen ominaisuudet

Tyyppi	Kuvaus	Valitse kaikki
Kategoria	Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET Yksittäiset FET-, MOSFET-transistorit
Valm.	Toshiba Semiconductor and Storage
Sarja	U-MOSVIII-H
Pakkaustapa	Rullattu teippi (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Osan tila	Aktiivinen
FET-tyyppi	N-kanavatyyppi
Teknologia	MOSFET (metallioksidi)
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss)	100 V
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C	3,5A (Ta)
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On)	4,5V, 10V
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs	69mOhm @ 2A, 10V
Vgs(th) (maks.) @ Id	2,5V @ 100µA
Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs	3.2 nC @ 4.5 V
Vgs (maks.)	±20V
Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds	430 pF @ 15 V
FET-ominaisuus	-
Tehohäviö (maks.)	1,25W (Ta)
Toimintalämpötila	150°C
Luokka	-
Hyväksyntä	-
Asennustyyppi	Kiinnitys pintaan
Valmistajan laitepakkaus	6-UDFNB (2x2)
Pakkaus / kotelo	6-WDFN avoin juotoskohta
Päätuotenumero	SSM6K361