Name: SSM3K2615TU,LF
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: SSM3K2615TULFTR-ND
Price: 0.7279 EUR
Availability: InStock

Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

SSM3K2615TU,LF
DigiKeyn tuotenumero	SSM3K2615TULFTR-ND - Rullattu teippi (TR) SSM3K2615TULFCT-ND - Cut Tape (CT) SSM3K2615TULFDKR-ND - Digi-Reel®
Valmistaja	Toshiba Semiconductor and Storage
Valmistajan tuotenumero	SSM3K2615TU,LF
Kuvaus	MOSFET N-CH 60V 2A UFM
Valmistajan vakio toimitusaika	12 viikkoa
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	N-kanavatyyppi 60 V 2A (Ta) 800mW (Ta) Kiinnitys pintaan UFM
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot
EDA/CAD-mallit	SSM3K2615TU,LF -mallit

Tuotteen ominaisuudet

Näytä samankaltaiset tuotteet

Näytä tyhjät attribuutit

Kategoria Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET Yksittäiset FET-, MOSFET-transistorit	Vgs(th) (maks.) @ Id 2V @ 1mA
Valm. Toshiba Semiconductor and Storage	Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs 6 nC @ 10 V
Sarja π-MOSV	Vgs (maks.) ±20V
Pakkaustapa Rullattu teippi (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®	Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds 150 pF @ 10 V
Osan tila Aktiivinen	Tehohäviö (maks.) 800mW (Ta)
FET-tyyppi N-kanavatyyppi	Toimintalämpötila 150°C
Teknologia MOSFET (metallioksidi)	Asennustyyppi Kiinnitys pintaan
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss) 60 V	Valmistajan laitepakkaus UFM
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C 2A (Ta)	Pakkaus / kotelo 3-SMD, litteät jalat
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On) 3,3V, 10V	Päätuotenumero SSM3K2615
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs 300mOhm @ 1A, 10V

Ilmoita tuotetiedoissa olevasta virheestä

Dokumentit & media

Ympäristö- ja vientiluokitukset

Lisäresurssit

Varastossa: 7 078

Tutustu myös saapuviin tuotteisiin

Määrä

Kaikki hinnat ilmoitetaan rahayksikössä EUR

Cut Tape (CT) & Digi-Reel®

* Kaikkiin Digi-Reel-tilauksiin lisätään lisämaksu 5,50 €.

Rullattu teippi (TR)