Name: SSM3J356R,LF
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: SSM3J356RLFTR-ND
Price: 0.4769 EUR
Availability: InStock

Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

SSM3J356R,LF
DigiKeyn tuotenumero	SSM3J356RLFTR-ND - Rullattu teippi (TR) SSM3J356RLFCT-ND - Cut Tape (CT) SSM3J356RLFDKR-ND - Digi-Reel®
Valmistaja	Toshiba Semiconductor and Storage
Valmistajan tuotenumero	SSM3J356R,LF
Kuvaus	MOSFET P-CH 60V 2A SOT-23F
Valmistajan vakio toimitusaika	16 viikkoa
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	P-kanava 60 V 2A (Ta) 1W (Ta) Kiinnitys pintaan SOT-23F
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot
EDA/CAD-mallit	SSM3J356R,LF -mallit

Tuotteen ominaisuudet

Näytä samankaltaiset tuotteet

Näytä tyhjät attribuutit

Kategoria Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET Yksittäiset FET-, MOSFET-transistorit	Vgs(th) (maks.) @ Id 2V @ 1mA
Valm. Toshiba Semiconductor and Storage	Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs 8.3 nC @ 10 V
Sarja U-MOSVI	Vgs (maks.) +10V, -20V
Pakkaustapa Rullattu teippi (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®	Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds 330 pF @ 10 V
Osan tila Aktiivinen	Tehohäviö (maks.) 1W (Ta)
FET-tyyppi P-kanava	Toimintalämpötila 150°C (TJ)
Teknologia MOSFET (metallioksidi)	Asennustyyppi Kiinnitys pintaan
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss) 60 V	Valmistajan laitepakkaus SOT-23F
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C 2A (Ta)	Pakkaus / kotelo SOT-23-3, tasaiset johdot
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On) 4V, 10V	Päätuotenumero SSM3J356
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs 300mOhm @ 1A, 10V

Ilmoita tuotetiedoissa olevasta virheestä

Dokumentit & media

Ympäristö- ja vientiluokitukset

Lisäresurssit

Varastossa: 68 602

Tutustu myös saapuviin tuotteisiin

Määrä

Kaikki hinnat ilmoitetaan rahayksikössä EUR

Cut Tape (CT) & Digi-Reel®

* Kaikkiin Digi-Reel-tilauksiin lisätään lisämaksu 5,50 €.

Rullattu teippi (TR)