Name: STH65N050DM9-7AG
Brand: STMicroelectronics
SKU: 497-STH65N050DM9-7AGTR-ND
Price: 10.1404 EUR
Availability: InStock

Uusi tuote

Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

STH65N050DM9-7AG
DigiKeyn tuotenumero	497-STH65N050DM9-7AGTR-ND - Rullattu teippi (TR) 497-STH65N050DM9-7AGCT-ND - Cut Tape (CT) 497-STH65N050DM9-7AGDKR-ND - Digi-Reel®
Valmistaja	STMicroelectronics
Valmistajan tuotenumero	STH65N050DM9-7AG
Kuvaus	AUTOMOTIVE-GRADE N-CHANNEL 650 V
Valmistajan vakio toimitusaika	20 viikkoa
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	N-kanavatyyppi 650 V 51A (Tc) 266W (Tc) Kiinnitys pintaan H2PAK-7
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot

Tuotteen ominaisuudet

Tyyppi	Kuvaus	Valitse kaikki
Kategoria	Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET Yksittäiset FET-, MOSFET-transistorit
Valm.	STMicroelectronics
Sarja	ECOPACK®
Pakkaustapa	Rullattu teippi (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Osan tila	Aktiivinen
FET-tyyppi	N-kanavatyyppi
Teknologia	MOSFET (metallioksidi)
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss)	650 V
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C	51A (Tc)
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On)	10V
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs	50mOhm @ 25,5A, 10V
Vgs(th) (maks.) @ Id	4,5V @ 250µA
Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs	100 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±30V
Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds	4680 pF @ 400 V
FET-ominaisuus	-
Tehohäviö (maks.)	266W (Tc)
Toimintalämpötila	-55°C – 150°C (TJ)
Luokka	Autoteollisuus
Hyväksyntä	AEC-Q101
Asennustyyppi	Kiinnitys pintaan
Valmistajan laitepakkaus	H2PAK-7
Pakkaus / kotelo	TO-263-8, D2PAK (7 jalkaa + juotoskohta), TO-263CA