Name: STB35N65DM2
Brand: STMicroelectronics
SKU: 497-18244-2-ND
Price: 6.26245 EUR
Availability: InStock

Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

STB35N65DM2
DigiKeyn tuotenumero	497-18244-2-ND - Rullattu teippi (TR) 497-18244-1-ND - Cut Tape (CT) 497-18244-6-ND - Digi-Reel®
Valmistaja	STMicroelectronics
Valmistajan tuotenumero	STB35N65DM2
Kuvaus	MOSFET N-CH 650V 28A D2PAK
Valmistajan vakio toimitusaika	18 viikkoa
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	N-kanavatyyppi 650 V 28A (Tc) 210W (Tc) Kiinnitys pintaan D2PAK
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot
EDA/CAD-mallit	STB35N65DM2 -mallit

Tuotteen ominaisuudet

Näytä samankaltaiset tuotteet

Näytä tyhjät attribuutit

Kategoria Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET Yksittäiset FET-, MOSFET-transistorit	Vgs(th) (maks.) @ Id 5V @ 250µA
Valm. STMicroelectronics	Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs 54 nC @ 10 V
Sarja MDmesh™ M2	Vgs (maks.) ±25V
Pakkaustapa Rullattu teippi (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®	Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds 2400 pF @ 100 V
Osan tila Aktiivinen	Tehohäviö (maks.) 210W (Tc)
FET-tyyppi N-kanavatyyppi	Toimintalämpötila -55°C – 150°C (TJ)
Teknologia MOSFET (metallioksidi)	Asennustyyppi Kiinnitys pintaan
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss) 650 V	Valmistajan laitepakkaus D2PAK
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C 28A (Tc)	Pakkaus / kotelo TO-263-3, D2PAK (2 jalkaa + juotoskohta), TO-263AB
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On) 10V	Päätuotenumero STB35
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs 110mOhm @ 14A, 10V