Name: STB14N80K5
Brand: STMicroelectronics
SKU: 497-STB14N80K5TR-ND
Price: 4.70625 EUR
Availability: InStock

Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

STB14N80K5
DigiKeyn tuotenumero	497-STB14N80K5TR-ND - Rullattu teippi (TR) 497-STB14N80K5CT-ND - Cut Tape (CT) 497-STB14N80K5DKR-ND - Digi-Reel®
Valmistaja	STMicroelectronics
Valmistajan tuotenumero	STB14N80K5
Kuvaus	MOSFET N-CH 800V 12A D2PAK
Valmistajan vakio toimitusaika	14 viikkoa
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	N-kanavatyyppi 800 V 12A (Tc) 130W (Tc) Kiinnitys pintaan TO-263 (D2PAK)
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot
EDA/CAD-mallit	STB14N80K5 -mallit

Tuotteen ominaisuudet

Tyyppi	Kuvaus	Valitse kaikki
Kategoria	Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET Yksittäiset FET-, MOSFET-transistorit
Valm.	STMicroelectronics
Sarja	MDmesh™ K5
Pakkaustapa	Rullattu teippi (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Osan tila	Aktiivinen
FET-tyyppi	N-kanavatyyppi
Teknologia	MOSFET (metallioksidi)
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss)	800 V
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C	12A (Tc)
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On)	10V
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs	445mOhm @ 6A, 10V
Vgs(th) (maks.) @ Id	5V @ 100µA
Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs	22 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±30V
Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds	620 pF @ 100 V
FET-ominaisuus	-
Tehohäviö (maks.)	130W (Tc)
Toimintalämpötila	-55°C – 150°C (TJ)
Luokka	-
Hyväksyntä	-
Asennustyyppi	Kiinnitys pintaan
Valmistajan laitepakkaus	TO-263 (D2PAK)
Pakkaus / kotelo	TO-263-3, D2PAK (2 jalkaa + juotoskohta), TO-263AB
Päätuotenumero	STB14