Name: SCT018H65G3AG
Brand: STMicroelectronics
SKU: 497-SCT018H65G3AGTR-ND
Price: 20.82045 EUR
Availability: InStock

Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

SCT018H65G3AG
DigiKeyn tuotenumero	497-SCT018H65G3AGTR-ND - Rullattu teippi (TR) 497-SCT018H65G3AGCT-ND - Cut Tape (CT) 497-SCT018H65G3AGDKR-ND - Digi-Reel®
Valmistaja	STMicroelectronics
Valmistajan tuotenumero	SCT018H65G3AG
Kuvaus	H2PAK-7
Valmistajan vakio toimitusaika	16 viikkoa
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	N-kanavatyyppi 650 V 55A (Tc) 385W (Tc) Kiinnitys pintaan H2PAK-7
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot
EDA/CAD-mallit	SCT018H65G3AG -mallit

Tuotteen ominaisuudet

Tyyppi	Kuvaus	Valitse kaikki
Kategoria	Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET Yksittäiset FET-, MOSFET-transistorit
Valm.	STMicroelectronics
Sarja	-
Pakkaustapa	Rullattu teippi (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Osan tila	Aktiivinen
FET-tyyppi	N-kanavatyyppi
Teknologia	SiCFET (piikarbidi)
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss)	650 V
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C	55A (Tc)
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On)	15V, 18V
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs	27mOhm @ 30A, 18V
Vgs(th) (maks.) @ Id	4,2V @ 5mA
Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs	79.4 nC @ 18 V
Vgs (maks.)	+22V, -10V
Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds	2124 pF @ 400 V
FET-ominaisuus	-
Tehohäviö (maks.)	385W (Tc)
Toimintalämpötila	-55°C – 175°C (TJ)
Luokka	Autoteollisuus
Hyväksyntä	AEC-Q101
Asennustyyppi	Kiinnitys pintaan
Valmistajan laitepakkaus	H2PAK-7
Pakkaus / kotelo	TO-263-8, D2PAK (7 jalkaa + juotoskohta), TO-263CA