Name: S2M0080120N
Brand: SMC Diode Solutions
SKU: 1655-S2M0080120N-ND
Price: 23.5187 EUR
Availability: InStock

Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

S2M0080120N
DigiKeyn tuotenumero	1655-S2M0080120N-ND
Valmistaja	SMC Diode Solutions
Valmistajan tuotenumero	S2M0080120N
Kuvaus	MOSFET SILICON CARBIDE SIC 1200V
Valmistajan vakio toimitusaika	12 viikkoa
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	N-kanavatyyppi 1200 V 36A (Tc) 176W (Tc) Runkokiinnitys SOT-227
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot

Tuotteen ominaisuudet

Tyyppi	Kuvaus	Valitse kaikki
Kategoria	Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET Yksittäiset FET-, MOSFET-transistorit
Valm.	SMC Diode Solutions
Sarja	-
Pakkaustapa	Irtotavara
Osan tila	Aktiivinen
FET-tyyppi	N-kanavatyyppi
Teknologia	SiCFET (piikarbidi)
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss)	1200 V
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C	36A (Tc)
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On)	20V
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs	100mOhm @ 20A, 20V
Vgs(th) (maks.) @ Id	4V @ 10mA
Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs	54 nC @ 20 V
Vgs (maks.)	+20V, -5V
Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds	1324 pF @ 1000 V
FET-ominaisuus	-
Tehohäviö (maks.)	176W (Tc)
Toimintalämpötila	-55°C – 175°C (TJ)
Luokka	-
Hyväksyntä	-
Asennustyyppi	Runkokiinnitys
Valmistajan laitepakkaus	SOT-227
Pakkaus / kotelo	SOT-227-4, miniBLOC