Name: GP3T080A120H
Brand: SemiQ
SKU: 1560-GP3T080A120H-ND
Price: 7.84375 EUR
Availability: InStock

Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

GP3T080A120H
DigiKeyn tuotenumero	1560-GP3T080A120H-ND
Valmistaja	SemiQ
Valmistajan tuotenumero	GP3T080A120H
Kuvaus	GEN3 1200V, 80M SIC MOSFET, TO-2
Valmistajan vakio toimitusaika	22 viikkoa
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	N-kanavatyyppi 1200 V 32A (Tc) 147W (Tc) Läpivientiaukko TO-247-4
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot

Tuotteen ominaisuudet

Näytä samankaltaiset tuotteet

Näytä tyhjät attribuutit

Kategoria Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET Yksittäiset FET-, MOSFET-transistorit	Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs 100mOhm @ 10A, 18V
Valm. SemiQ	Vgs(th) (maks.) @ Id 4V @ 5mA
Sarja QSiC™	Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs 53 nC @ 18 V
Pakkaustapa Putki	Vgs (maks.) +22V, -8V
Osan tila Aktiivinen	Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds 1351 pF @ 1000 V
FET-tyyppi N-kanavatyyppi	Tehohäviö (maks.) 147W (Tc)
Teknologia SiCFET (piikarbidi)	Toimintalämpötila -55°C – 175°C (TJ)
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss) 1200 V	Asennustyyppi Läpivientiaukko
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C 32A (Tc)	Valmistajan laitepakkaus TO-247-4
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On) 18V	Pakkaus / kotelo TO-247-4