Name: GP3T080A120H
Brand: SemiQ
SKU: 1560-GP3T080A120H-ND
Price: 6.21225 EUR
Availability: InStock

Uusi tuote

Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

GP3T080A120H
DigiKeyn tuotenumero	1560-GP3T080A120H-ND
Valmistaja	SemiQ
Valmistajan tuotenumero	GP3T080A120H
Kuvaus	GEN3 1200V, 80M SIC MOSFET, TO-2
Valmistajan vakio toimitusaika	22 viikkoa
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	N-kanavatyyppi 1200 V 32A (Tc) 147W (Tc) Läpivientiaukko TO-247-4
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot

Tuotteen ominaisuudet

Tyyppi	Kuvaus	Valitse kaikki
Kategoria	Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET Yksittäiset FET-, MOSFET-transistorit
Valm.	SemiQ
Sarja	QSiC™
Pakkaustapa	Putki
Osan tila	Aktiivinen
FET-tyyppi	N-kanavatyyppi
Teknologia	SiCFET (piikarbidi)
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss)	1200 V
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C	32A (Tc)
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On)	18V
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs	100mOhm @ 10A, 18V
Vgs(th) (maks.) @ Id	4V @ 5mA
Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs	53 nC @ 18 V
Vgs (maks.)	+22V, -8V
Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds	1351 pF @ 1000 V
FET-ominaisuus	-
Tehohäviö (maks.)	147W (Tc)
Toimintalämpötila	-55°C – 175°C (TJ)
Luokka	-
Hyväksyntä	-
Asennustyyppi	Läpivientiaukko
Valmistajan laitepakkaus	TO-247-4
Pakkaus / kotelo	TO-247-4