Name: GCMX003A120S3B1-N
Brand: SemiQ
SKU: 1560-GCMX003A120S3B1-N-ND
Price: 258.76845 EUR
Availability: InStock

Uusi tuote

Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

GCMX003A120S3B1-N
DigiKeyn tuotenumero	1560-GCMX003A120S3B1-N-ND
Valmistaja	SemiQ
Valmistajan tuotenumero	GCMX003A120S3B1-N
Kuvaus	1200V, 3M SIC MOSFET HALF BRIDGE
Valmistajan vakio toimitusaika	22 viikkoa
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	MOSFETit - ryhmät 1200V (1,2kV) 625A (Tc) 2,113kW (Tc) Runkokiinnitys
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot

Tuotteen ominaisuudet

Tyyppi	Kuvaus	Valitse kaikki
Kategoria	Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET FET, MOSFET-ryhmät
Valmistaja	SemiQ
Sarja	QSiC™
Pakkaustapa	Kotelo
Osan tila	Aktiivinen
Teknologia	Piikarbidi (SiC)
Konfiguraatio	2 N-kanavaa (puolisilta)
FET-ominaisuus	-
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss)	1200V (1,2kV)
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C	625A (Tc)
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs	5,5mOhm @ 300A, 20V
Vgs(th) (maks.) @ Id	4V @ 120mA
Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs	1408nC @ 20V
Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds	41400pF @ 800V
Teho - maksimi	2,113kW (Tc)
Toimintalämpötila	-40°C – 175°C (TJ)
Luokka	-
Hyväksyntä	-
Asennustyyppi	Runkokiinnitys
Pakkaus / kotelo	Moduuli
Valmistajan laitepakkaus	-