Name: GCMS008C120S1-E1
Brand: SemiQ
SKU: 1560-GCMS008C120S1-E1-ND
Price: 45.3055 EUR
Availability: InStock

Uutta DigiKeyllä

Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

GCMS008C120S1-E1
DigiKeyn tuotenumero	1560-GCMS008C120S1-E1-ND
Valmistaja	SemiQ
Valmistajan tuotenumero	GCMS008C120S1-E1
Kuvaus	GEN3 1200V 8M SIC MOSFET & SBD
Valmistajan vakio toimitusaika	22 viikkoa
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	N-kanavatyyppi 1200 V 189A (Tc) 536W (Tc) Runkokiinnitys SOT-227
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot

Tuotteen ominaisuudet

Tyyppi	Kuvaus	Valitse kaikki
Kategoria	Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET Yksittäiset FET-, MOSFET-transistorit
Valm.	SemiQ
Sarja	QSiC™
Pakkaustapa	Putki
Osan tila	Aktiivinen
FET-tyyppi	N-kanavatyyppi
Teknologia	SiCFET (piikarbidi)
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss)	1200 V
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C	189A (Tc)
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On)	18V
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs	12mOhm @ 100A, 18V
Vgs(th) (maks.) @ Id	4V @ 40mA
Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs	506 nC @ 18 V
Vgs (maks.)	+22V, -8V
Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds	14085 pF @ 1000 V
FET-ominaisuus	-
Tehohäviö (maks.)	536W (Tc)
Toimintalämpötila	-55°C – 175°C (TJ)
Luokka	-
Hyväksyntä	-
Asennustyyppi	Runkokiinnitys
Valmistajan laitepakkaus	SOT-227
Pakkaus / kotelo	SOT-227-4, miniBLOC