Name: RS7P200BMTB1
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: 846-RS7P200BMTB1TR-ND
Price: 5.773 EUR
Availability: OutOfStock

Uutta DigiKeyllä

Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

RS7P200BMTB1
DigiKeyn tuotenumero	846-RS7P200BMTB1TR-ND - Rullattu teippi (TR) 846-RS7P200BMTB1CT-ND - Cut Tape (CT) 846-RS7P200BMTB1DKR-ND - Digi-Reel®
Valmistaja	Rohm Semiconductor
Valmistajan tuotenumero	RS7P200BMTB1
Kuvaus	NCH 100V 200A, DFN5060-8S, WIDE-
Valmistajan vakio toimitusaika	18 viikkoa
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	N-kanavatyyppi 100 V 200A (Tc) 3,6W (Ta), 217W (Tc) Kiinnitys pintaan DFN5060-8S
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot

Tuotteen ominaisuudet

Näytä samankaltaiset tuotteet

Näytä tyhjät attribuutit

Kategoria Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET Yksittäiset FET-, MOSFET-transistorit	Vgs(th) (maks.) @ Id 4V @ 1mA
Valm. Rohm Semiconductor	Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs 105 nC @ 10 V
Pakkaustapa Rullattu teippi (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®	Vgs (maks.) ±20V
Osan tila Aktiivinen	Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds 7800 pF @ 50 V
FET-tyyppi N-kanavatyyppi	Tehohäviö (maks.) 3,6W (Ta), 217W (Tc)
Teknologia MOSFET (metallioksidi)	Toimintalämpötila 175°C (TJ)
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss) 100 V	Asennustyyppi Kiinnitys pintaan
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C 200A (Tc)	Valmistajan laitepakkaus DFN5060-8S
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On) 10V	Pakkaus / kotelo 8-PowerTDFN
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs 4mOhm @ 50A, 10V