Name: RS7E200BGTB1
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: 846-RS7E200BGTB1TR-ND
Price: 5.7981 EUR
Availability: InStock

Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

RS7E200BGTB1
DigiKeyn tuotenumero	846-RS7E200BGTB1TR-ND - Rullattu teippi (TR) 846-RS7E200BGTB1CT-ND - Cut Tape (CT) 846-RS7E200BGTB1DKR-ND - Digi-Reel®
Valmistaja	Rohm Semiconductor
Valmistajan tuotenumero	RS7E200BGTB1
Kuvaus	NCH 30V 390A, DFN5060-8S, POWER
Valmistajan vakio toimitusaika	18 viikkoa
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	N-kanavatyyppi 30 V 390A (Ta) 3W (Ta), 180W (Tc) Kiinnitys pintaan DFN5060-8S
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot

Tuotteen ominaisuudet

Näytä samankaltaiset tuotteet

Näytä tyhjät attribuutit

Kategoria Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET Yksittäiset FET-, MOSFET-transistorit	Vgs(th) (maks.) @ Id 2,5V @ 1mA
Valm. Rohm Semiconductor	Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs 135 nC @ 10 V
Pakkaustapa Rullattu teippi (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®	Vgs (maks.) ±20V
Osan tila Aktiivinen	Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds 9500 pF @ 15 V
FET-tyyppi N-kanavatyyppi	Tehohäviö (maks.) 3W (Ta), 180W (Tc)
Teknologia MOSFET (metallioksidi)	Toimintalämpötila -55°C – 150°C (TJ)
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss) 30 V	Asennustyyppi Kiinnitys pintaan
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C 390A (Ta)	Valmistajan laitepakkaus DFN5060-8S
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On) 4,5V, 10V	Pakkaus / kotelo 8-PowerTDFN
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs 0,67mOhm @ 50A, 10V

Ilmoita tuotetiedoissa olevasta virheestä

Dokumentit & media

Ympäristö- ja vientiluokitukset

Lisäresurssit

Varastossa: 2 277

Tutustu myös saapuviin tuotteisiin

Määrä

Kaikki hinnat ilmoitetaan rahayksikössä EUR

Cut Tape (CT) & Digi-Reel®

* Kaikkiin Digi-Reel-tilauksiin lisätään lisämaksu 5,50 €.

Rullattu teippi (TR)

Määrä	Yksikköhinta	Yhteensä
2 500	1,59144 €	3 978,60 €

Valmistajien vakiokoko

Yksikköhinta ilman ALV-veroa:	4,62000 €
Yksikköhinta ALV-veron kanssa:	5,79810 €

RS7E200BGTB1