Name: RS6L090BGTB1
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: 846-RS6L090BGTB1TR-ND
Price: 3.20025 EUR
Availability: InStock

Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

RS6L090BGTB1
DigiKeyn tuotenumero	846-RS6L090BGTB1TR-ND - Rullattu teippi (TR) 846-RS6L090BGTB1CT-ND - Cut Tape (CT) 846-RS6L090BGTB1DKR-ND - Digi-Reel®
Valmistaja	Rohm Semiconductor
Valmistajan tuotenumero	RS6L090BGTB1
Kuvaus	NCH 60V 90A, HSOP8, POWER MOSFET
Valmistajan vakio toimitusaika	21 viikkoa
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	N-kanavatyyppi 60 V 90A (Tc) 3W (Ta), 73W (Tc) Kiinnitys pintaan 8-HSOP
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot
EDA/CAD-mallit	RS6L090BGTB1 -mallit

Tuotteen ominaisuudet

Tyyppi	Kuvaus	Valitse kaikki
Kategoria	Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET Yksittäiset FET-, MOSFET-transistorit
Valm.	Rohm Semiconductor
Sarja	-
Pakkaustapa	Rullattu teippi (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Osan tila	Aktiivinen
FET-tyyppi	N-kanavatyyppi
Teknologia	MOSFET (metallioksidi)
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss)	60 V
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C	90A (Tc)
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On)	4,5V, 10V
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs	4,7mOhm @ 90A, 10V
Vgs(th) (maks.) @ Id	2,5V @ 1mA
Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs	28 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±20V
Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds	1950 pF @ 30 V
FET-ominaisuus	-
Tehohäviö (maks.)	3W (Ta), 73W (Tc)
Toimintalämpötila	150°C (TJ)
Luokka	-
Hyväksyntä	-
Asennustyyppi	Kiinnitys pintaan
Valmistajan laitepakkaus	8-HSOP
Pakkaus / kotelo	8-PowerTDFN