Name: RQ6G050ATTCR
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: 846-RQ6G050ATTCRTR-ND
Price: 1.44325 EUR
Availability: InStock

Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

RQ6G050ATTCR
DigiKeyn tuotenumero	846-RQ6G050ATTCRTR-ND - Rullattu teippi (TR) 846-RQ6G050ATTCRCT-ND - Cut Tape (CT) 846-RQ6G050ATTCRDKR-ND - Digi-Reel®
Valmistaja	Rohm Semiconductor
Valmistajan tuotenumero	RQ6G050ATTCR
Kuvaus	PCH -30V -5A POWER MOSFET - RQ6G
Valmistajan vakio toimitusaika	16 viikkoa
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	P-kanava 40 V 5A (Ta) 950mW (Ta) Kiinnitys pintaan TSMT6 (SC-95)
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot
EDA/CAD-mallit	RQ6G050ATTCR -mallit

Tuotteen ominaisuudet

Tyyppi	Kuvaus	Valitse kaikki
Kategoria	Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET Yksittäiset FET-, MOSFET-transistorit
Valm.	Rohm Semiconductor
Sarja	-
Pakkaustapa	Rullattu teippi (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Osan tila	Aktiivinen
FET-tyyppi	P-kanava
Teknologia	MOSFET (metallioksidi)
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss)	40 V
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C	5A (Ta)
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On)	4,5V, 10V
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs	40mOhm @ 5A, 10V
Vgs(th) (maks.) @ Id	2,5V @ 1mA
Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs	22 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±20V
Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds	1100 pF @ 20 V
FET-ominaisuus	-
Tehohäviö (maks.)	950mW (Ta)
Toimintalämpötila	150°C (TJ)
Luokka	-
Hyväksyntä	-
Asennustyyppi	Kiinnitys pintaan
Valmistajan laitepakkaus	TSMT6 (SC-95)
Pakkaus / kotelo	SOT-23-6, litteä, TSOT-23-6
Päätuotenumero	RQ6G050