Name: RQ6E080AJTCR
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: RQ6E080AJTCRTR-ND
Price: 1.29265 EUR
Availability: InStock

Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

RQ6E080AJTCR
DigiKeyn tuotenumero	RQ6E080AJTCRTR-ND - Rullattu teippi (TR) RQ6E080AJTCRCT-ND - Cut Tape (CT) RQ6E080AJTCRDKR-ND - Digi-Reel®
Valmistaja	Rohm Semiconductor
Valmistajan tuotenumero	RQ6E080AJTCR
Kuvaus	MOSFET N-CH 30V 8A TSMT6
Valmistajan vakio toimitusaika	16 viikkoa
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	N-kanavatyyppi 30 V 8A (Ta) 950mW (Ta) Kiinnitys pintaan TSMT6 (SC-95)
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot
EDA/CAD-mallit	RQ6E080AJTCR -mallit

Tuotteen ominaisuudet

Tyyppi	Kuvaus	Valitse kaikki
Kategoria	Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET Yksittäiset FET-, MOSFET-transistorit
Valm.	Rohm Semiconductor
Sarja	-
Pakkaustapa	Rullattu teippi (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Osan tila	Aktiivinen
FET-tyyppi	N-kanavatyyppi
Teknologia	MOSFET (metallioksidi)
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss)	30 V
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C	8A (Ta)
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On)	2,5V, 4,5V
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs	16,5mOhm @ 8A, 4,5V
Vgs(th) (maks.) @ Id	1,5V @ 2mA
Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs	16.2 nC @ 4.5 V
Vgs (maks.)	±12V
Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds	1810 pF @ 15 V
FET-ominaisuus	-
Tehohäviö (maks.)	950mW (Ta)
Toimintalämpötila	150°C (TJ)
Luokka	-
Hyväksyntä	-
Asennustyyppi	Kiinnitys pintaan
Valmistajan laitepakkaus	TSMT6 (SC-95)
Pakkaus / kotelo	SOT-23-6, litteä, TSOT-23-6
Päätuotenumero	RQ6E080