RQ3P300BETB1 Rohm Semiconductor | Yksittäiset FET-, MOSFET-transistorit

RQ3P300BETB1 on vanhentunut, eikä sitä enää valmisteta.

Saatavana olevat korvaavat osat:

Samankaltainen

STMicroelectronics

Varastossa: 2 775

Yksikköhinta : 1,30000 €

Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

RQ3P300BETB1
DigiKeyn tuotenumero	RQ3P300BETB1TR-ND - Rullattu teippi (TR)
Valmistaja	Rohm Semiconductor
Valmistajan tuotenumero	RQ3P300BETB1
Kuvaus	MOSFET N-CH 100V 10A/36A 8HSMT
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	N-kanavatyyppi 100 V 10A (Ta), 36A (Tc) 2W (Ta), 32W (Tc) Kiinnitys pintaan 8-HSMT (3,2x3)
EDA/CAD-mallit	RQ3P300BETB1 -mallit

Tuotteen ominaisuudet

Näytä samankaltaiset tuotteet

Näytä tyhjät attribuutit

Kategoria Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET Yksittäiset FET-, MOSFET-transistorit	Vgs(th) (maks.) @ Id 4V @ 200µA
Valm. Rohm Semiconductor	Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs 19.1 nC @ 10 V
Pakkaustapa Rullattu teippi (TR)	Vgs (maks.) ±20V
Osan tila Vanhentunut	Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds 1250 pF @ 50 V
FET-tyyppi N-kanavatyyppi	Tehohäviö (maks.) 2W (Ta), 32W (Tc)
Teknologia MOSFET (metallioksidi)	Toimintalämpötila 150°C (TJ)
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss) 100 V	Asennustyyppi Kiinnitys pintaan
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C 10A (Ta), 36A (Tc)	Valmistajan laitepakkaus 8-HSMT (3,2x3)
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On) 10V	Pakkaus / kotelo 8-PowerVDFN
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs 21mOhm @ 10A, 10V	Päätuotenumero RQ3P300

Ilmoita tuotetiedoissa olevasta virheestä

Dokumentit & media

Ympäristö- ja vientiluokitukset

Lisäresurssit

Korvaa (1)

Osanumero	Valmistaja	Saatavana oleva määrä	DigiKeyn tuotenumero	Yksikköhinta	Korvaava tyyppi
STL8N10F7	STMicroelectronics	2 775	497-14991-1-ND	1,30000 €	Samankaltainen

Vanhentunut

Tätä tuotetta ei enää valmisteta. Näytä Korvaavat osat.

RQ3P300BETB1