Name: RQ3N040ATTB1
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: 846-RQ3N040ATTB1TR-ND
Price: 1.81975 EUR
Availability: InStock

Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

RQ3N040ATTB1
DigiKeyn tuotenumero	846-RQ3N040ATTB1TR-ND - Rullattu teippi (TR) 846-RQ3N040ATTB1CT-ND - Cut Tape (CT) 846-RQ3N040ATTB1DKR-ND - Digi-Reel®
Valmistaja	Rohm Semiconductor
Valmistajan tuotenumero	RQ3N040ATTB1
Kuvaus	PCH -80V -10A, HSMT8, POWER MOSF
Valmistajan vakio toimitusaika	18 viikkoa
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	P-kanava 80 V 4A (Ta), 10A (Tc) 2W (Ta), 15W (Tc) Kiinnitys pintaan 8-HSMT (3,2x3)
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot

Tuotteen ominaisuudet

Näytä samankaltaiset tuotteet

Näytä tyhjät attribuutit

Kategoria Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET Yksittäiset FET-, MOSFET-transistorit	Vgs(th) (maks.) @ Id 4V @ 1mA
Valm. Rohm Semiconductor	Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs 22 nC @ 10 V
Pakkaustapa Rullattu teippi (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®	Vgs (maks.) ±20V
Osan tila Aktiivinen	Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds 930 pF @ 40 V
FET-tyyppi P-kanava	Tehohäviö (maks.) 2W (Ta), 15W (Tc)
Teknologia MOSFET (metallioksidi)	Toimintalämpötila 150°C (TJ)
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss) 80 V	Asennustyyppi Kiinnitys pintaan
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C 4A (Ta), 10A (Tc)	Valmistajan laitepakkaus 8-HSMT (3,2x3)
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On) 6V, 10V	Pakkaus / kotelo 8-PowerVDFN
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs 126mOhm @ 4A, 10V