Name: RQ3E080BNTB
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: RQ3E080BNTBTR-ND
Price: 0.74045 EUR
Availability: InStock

Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

RQ3E080BNTB
DigiKeyn tuotenumero	RQ3E080BNTBTR-ND - Rullattu teippi (TR) RQ3E080BNTBCT-ND - Cut Tape (CT) RQ3E080BNTBDKR-ND - Digi-Reel®
Valmistaja	Rohm Semiconductor
Valmistajan tuotenumero	RQ3E080BNTB
Kuvaus	MOSFET N-CH 30V 8A 8HSMT
Valmistajan vakio toimitusaika	16 viikkoa
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	N-kanavatyyppi 30 V 8A (Ta) 2W (Ta) Kiinnitys pintaan 8-HSMT (3,2x3)
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot
EDA/CAD-mallit	RQ3E080BNTB -mallit

Tuotteen ominaisuudet

Näytä samankaltaiset tuotteet

Näytä tyhjät attribuutit

Kategoria Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET Yksittäiset FET-, MOSFET-transistorit	Vgs(th) (maks.) @ Id 2,5V @ 1mA
Valm. Rohm Semiconductor	Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs 14.5 nC @ 10 V
Pakkaustapa Rullattu teippi (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®	Vgs (maks.) ±20V
Osan tila Aktiivinen	Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds 660 pF @ 15 V
FET-tyyppi N-kanavatyyppi	Tehohäviö (maks.) 2W (Ta)
Teknologia MOSFET (metallioksidi)	Toimintalämpötila 150°C (TJ)
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss) 30 V	Asennustyyppi Kiinnitys pintaan
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C 8A (Ta)	Valmistajan laitepakkaus 8-HSMT (3,2x3)
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On) 4,5V, 10V	Pakkaus / kotelo 8-PowerVDFN
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs 15,2mOhm @ 8A, 10V	Päätuotenumero RQ3E080

Ilmoita tuotetiedoissa olevasta virheestä

Dokumentit & media

Ympäristö- ja vientiluokitukset

Lisäresurssit

Varastossa: 8 823

Tutustu myös saapuviin tuotteisiin

Määrä

Kaikki hinnat ilmoitetaan rahayksikössä EUR

Cut Tape (CT) & Digi-Reel®

* Kaikkiin Digi-Reel-tilauksiin lisätään lisämaksu 5,50 €.

Rullattu teippi (TR)