Name: RQ3E080BNTB
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: RQ3E080BNTBTR-ND
Price: 0.56475 EUR
Availability: InStock

Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

RQ3E080BNTB
DigiKeyn tuotenumero	RQ3E080BNTBTR-ND - Rullattu teippi (TR) RQ3E080BNTBCT-ND - Cut Tape (CT) RQ3E080BNTBDKR-ND - Digi-Reel®
Valmistaja	Rohm Semiconductor
Valmistajan tuotenumero	RQ3E080BNTB
Kuvaus	MOSFET N-CH 30V 8A 8HSMT
Valmistajan vakio toimitusaika	21 viikkoa
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	N-kanavatyyppi 30 V 8A (Ta) 2W (Ta) Kiinnitys pintaan 8-HSMT (3,2x3)
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot
EDA/CAD-mallit	RQ3E080BNTB -mallit

Tuotteen ominaisuudet

Tyyppi	Kuvaus	Valitse kaikki
Kategoria	Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET Yksittäiset FET-, MOSFET-transistorit
Valm.	Rohm Semiconductor
Sarja	-
Pakkaustapa	Rullattu teippi (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Osan tila	Aktiivinen
FET-tyyppi	N-kanavatyyppi
Teknologia	MOSFET (metallioksidi)
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss)	30 V
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C	8A (Ta)
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On)	4,5V, 10V
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs	15,2mOhm @ 8A, 10V
Vgs(th) (maks.) @ Id	2,5V @ 1mA
Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs	14.5 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±20V
Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds	660 pF @ 15 V
FET-ominaisuus	-
Tehohäviö (maks.)	2W (Ta)
Toimintalämpötila	150°C (TJ)
Luokka	-
Hyväksyntä	-
Asennustyyppi	Kiinnitys pintaan
Valmistajan laitepakkaus	8-HSMT (3,2x3)
Pakkaus / kotelo	8-PowerVDFN
Päätuotenumero	RQ3E080