Name: RD3H080SPTL1
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: RD3H080SPTL1TR-ND
Price: 1.6064 EUR
Availability: InStock

Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

RD3H080SPTL1
DigiKeyn tuotenumero	RD3H080SPTL1TR-ND - Rullattu teippi (TR) RD3H080SPTL1CT-ND - Cut Tape (CT) RD3H080SPTL1DKR-ND - Digi-Reel®
Valmistaja	Rohm Semiconductor
Valmistajan tuotenumero	RD3H080SPTL1
Kuvaus	MOSFET P-CH 45V 8A TO252
Valmistajan vakio toimitusaika	21 viikkoa
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	P-kanava 45 V 8A (Ta) 15W (Tc) Kiinnitys pintaan TO-252
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot
EDA/CAD-mallit	RD3H080SPTL1 -mallit

Tuotteen ominaisuudet

Tyyppi	Kuvaus	Valitse kaikki
Kategoria	Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET Yksittäiset FET-, MOSFET-transistorit
Valm.	Rohm Semiconductor
Sarja	-
Pakkaustapa	Rullattu teippi (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Osan tila	Aktiivinen
FET-tyyppi	P-kanava
Teknologia	MOSFET (metallioksidi)
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss)	45 V
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C	8A (Ta)
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On)	4V, 10V
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs	91mOhm @ 8A, 10V
Vgs(th) (maks.) @ Id	3V @ 1mA
Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs	9 nC @ 5 V
Vgs (maks.)	±20V
Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds	1000 pF @ 10 V
FET-ominaisuus	-
Tehohäviö (maks.)	15W (Tc)
Toimintalämpötila	150°C (TJ)
Luokka	-
Hyväksyntä	-
Asennustyyppi	Kiinnitys pintaan
Valmistajan laitepakkaus	TO-252
Pakkaus / kotelo	TO-252-3, DPAK (2 jalkaa + juotoskohta), SC-63
Päätuotenumero	RD3H080