Name: RD3H080SPTL1
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: RD3H080SPTL1TR-ND
Price: 2.0582 EUR
Availability: InStock

Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

RD3H080SPTL1
DigiKeyn tuotenumero	RD3H080SPTL1TR-ND - Rullattu teippi (TR) RD3H080SPTL1CT-ND - Cut Tape (CT) RD3H080SPTL1DKR-ND - Digi-Reel®
Valmistaja	Rohm Semiconductor
Valmistajan tuotenumero	RD3H080SPTL1
Kuvaus	MOSFET P-CH 45V 8A TO252
Valmistajan vakio toimitusaika	18 viikkoa
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	P-kanava 45 V 8A (Ta) 15W (Tc) Kiinnitys pintaan TO-252
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot
EDA/CAD-mallit	RD3H080SPTL1 -mallit

Tuotteen ominaisuudet

Näytä samankaltaiset tuotteet

Näytä tyhjät attribuutit

Kategoria Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET Yksittäiset FET-, MOSFET-transistorit	Vgs(th) (maks.) @ Id 3V @ 1mA
Valm. Rohm Semiconductor	Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs 9 nC @ 5 V
Pakkaustapa Rullattu teippi (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®	Vgs (maks.) ±20V
Osan tila Aktiivinen	Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds 1000 pF @ 10 V
FET-tyyppi P-kanava	Tehohäviö (maks.) 15W (Tc)
Teknologia MOSFET (metallioksidi)	Toimintalämpötila 150°C (TJ)
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss) 45 V	Asennustyyppi Kiinnitys pintaan
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C 8A (Ta)	Valmistajan laitepakkaus TO-252
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On) 4V, 10V	Pakkaus / kotelo TO-252-3, DPAK (2 jalkaa + juotoskohta), SC-63
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs 91mOhm @ 8A, 10V	Päätuotenumero RD3H080