Name: RD3G03BATTL1
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: 846-RD3G03BATTL1TR-ND
Price: 2.2088 EUR
Availability: InStock

Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

RD3G03BATTL1
DigiKeyn tuotenumero	846-RD3G03BATTL1TR-ND - Rullattu teippi (TR) 846-RD3G03BATTL1CT-ND - Cut Tape (CT) 846-RD3G03BATTL1DKR-ND - Digi-Reel®
Valmistaja	Rohm Semiconductor
Valmistajan tuotenumero	RD3G03BATTL1
Kuvaus	PCH -40V -35A POWER MOSFET - RD3
Valmistajan vakio toimitusaika	21 viikkoa
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	P-kanava 40 V 35A (Tc) 56W (Tc) Kiinnitys pintaan TO-252
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot
EDA/CAD-mallit	RD3G03BATTL1 -mallit

Tuotteen ominaisuudet

Tyyppi	Kuvaus	Valitse kaikki
Kategoria	Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET Yksittäiset FET-, MOSFET-transistorit
Valm.	Rohm Semiconductor
Sarja	-
Pakkaustapa	Rullattu teippi (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Osan tila	Aktiivinen
FET-tyyppi	P-kanava
Teknologia	MOSFET (metallioksidi)
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss)	40 V
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C	35A (Tc)
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On)	4,5V, 10V
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs	19,1mOhm @ 35A, 10V
Vgs(th) (maks.) @ Id	2,5V @ 1mA
Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs	38 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±20V
Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds	2100 pF @ 20 V
FET-ominaisuus	-
Tehohäviö (maks.)	56W (Tc)
Toimintalämpötila	150°C (TJ)
Luokka	-
Hyväksyntä	-
Asennustyyppi	Kiinnitys pintaan
Valmistajan laitepakkaus	TO-252
Pakkaus / kotelo	TO-252-3, DPAK (2 jalkaa + juotoskohta), SC-63
Päätuotenumero	RD3G03