Name: RD3G03BATTL1
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: 846-RD3G03BATTL1TR-ND
Price: 2.3343 EUR
Availability: InStock

Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

RD3G03BATTL1
DigiKeyn tuotenumero	846-RD3G03BATTL1TR-ND - Rullattu teippi (TR) 846-RD3G03BATTL1CT-ND - Cut Tape (CT) 846-RD3G03BATTL1DKR-ND - Digi-Reel®
Valmistaja	Rohm Semiconductor
Valmistajan tuotenumero	RD3G03BATTL1
Kuvaus	PCH -40V -35A POWER MOSFET - RD3
Valmistajan vakio toimitusaika	18 viikkoa
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	P-kanava 40 V 35A (Tc) 56W (Tc) Kiinnitys pintaan TO-252
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot
EDA/CAD-mallit	RD3G03BATTL1 -mallit

Tuotteen ominaisuudet

Näytä samankaltaiset tuotteet

Näytä tyhjät attribuutit

Kategoria Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET Yksittäiset FET-, MOSFET-transistorit	Vgs(th) (maks.) @ Id 2,5V @ 1mA
Valm. Rohm Semiconductor	Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs 38 nC @ 10 V
Pakkaustapa Rullattu teippi (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®	Vgs (maks.) ±20V
Osan tila Aktiivinen	Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds 2100 pF @ 20 V
FET-tyyppi P-kanava	Tehohäviö (maks.) 56W (Tc)
Teknologia MOSFET (metallioksidi)	Toimintalämpötila 150°C (TJ)
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss) 40 V	Asennustyyppi Kiinnitys pintaan
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C 35A (Tc)	Valmistajan laitepakkaus TO-252
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On) 4,5V, 10V	Pakkaus / kotelo TO-252-3, DPAK (2 jalkaa + juotoskohta), SC-63
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs 19,1mOhm @ 35A, 10V	Päätuotenumero RD3G03