BSM300D12P4G101
cms-photo-disclaimer
BSM300D12P4G101
ROHM's SiC Power and Gate Driver Solutions
4th Gen SiC MOSFETs

BSM400D12P2G003

cms-digikey-product-number
846-BSM400D12P2G003-ND
cms-manufacturer
Rohm Semiconductor
cms-manufacturer-product-number
BSM400D12P2G003
cms-description
MOSFET 2N-CH 1200V 400A MODULE
cms-standard-lead-time
22 viikkoa
cms-customer-reference
cms-detailed-description
MOSFETit - ryhmät 1200V (1,2kV) 400A (Tc) 2450W (Tc) Moduuli
Tekniset tiedot
 Tekniset tiedot
cms-product-attributes
cms-type
cms-description
cms-select-all
cms-category
Valmistaja
Rohm Semiconductor
Sarja
-
Pakkaustapa
Irtotavara
Osan tila
Aktiivinen
Teknologia
Piikarbidi (SiC)
Konfiguraatio
2 N-kanavaa (puolisilta)
FET-ominaisuus
-
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss)
1200V (1,2kV)
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C
400A (Tc)
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs
-
Vgs(th) (maks.) @ Id
4V @ 85mA
Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs
-
Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds
38000pF @ 10V
Teho - maksimi
2450W (Tc)
Toimintalämpötila
-40°C – 150°C (TJ)
Pakkaus / kotelo
Moduuli
Valmistajan laitepakkaus
Moduuli
Päätuotenumero
cms-product-q-and-a

cms-techforum-default-desc

Varastossa: 4
cms-incoming-leadtime-link
cms-all-prices-in-currency
Irtotavara
cms-quantityYksikköhinta cms-ext-price
11 850,79000 €1 850,79 €
Yksikköhinta ilman ALV-veroa:1 850,79000 €
Yksikköhinta ALV-veron kanssa:2 322,74145 €