BSM180D12P2E002
Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.
BSM180D12P2E002
ROHM's SiC Power and Gate Driver Solutions
4th Gen SiC MOSFETs

BSM180D12P2E002

DigiKeyn tuotenumero
846-BSM180D12P2E002-ND
Valmistaja
Rohm Semiconductor
Valmistajan tuotenumero
BSM180D12P2E002
Kuvaus
MOSFET 2N-CH 1200V 204A MODULE
Valmistajan vakio toimitusaika
22 viikkoa
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus
MOSFETit - ryhmät 1200V (1,2kV) 204A (Tc) 1360W (Tc) Runkokiinnitys Moduuli
Tekniset tiedot
 Tekniset tiedot
Tuotteen ominaisuudet
Tyyppi
Kuvaus
Valitse kaikki
Kategoria
Valmistaja
Rohm Semiconductor
Sarja
-
Pakkaustapa
Irtotavara
Osan tila
Aktiivinen
Teknologia
Piikarbidi (SiC)
Konfiguraatio
2 N-kanavaa (puolisilta)
FET-ominaisuus
-
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss)
1200V (1,2kV)
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C
204A (Tc)
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs
-
Vgs(th) (maks.) @ Id
4V @ 35,2mA
Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs
-
Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds
18000pF @ 10V
Teho - maksimi
1360W (Tc)
Toimintalämpötila
-40°C – 150°C (TJ)
Asennustyyppi
Runkokiinnitys
Pakkaus / kotelo
Moduuli
Valmistajan laitepakkaus
Moduuli
Päätuotenumero
BSM180
Tuotteita koskevat kysymykset ja vastaukset

Katso, mitä suunnittelijat kysyvät, tee kysymyksiä ja auta toisia DigiKeyn suunnitteluyhteisössä

Varastossa: 4
Tutustu myös saapuviin tuotteisiin
Määrä
Kaikki hinnat ilmoitetaan rahayksikössä EUR
Irtotavara
Määrä Yksikköhinta Yhteensä
1584,29000 €584,29 €
Yksikköhinta ilman ALV-veroa:584,29000 €
Yksikköhinta ALV-veron kanssa:733,28395 €