IRF60B217 Infineon Technologies | Yksittäiset FET-, MOSFET-transistorit

IRF60B217 on vanhentunut, eikä sitä enää valmisteta.

Saatavana olevat korvaavat osat:

Samankaltainen

STMicroelectronics

Varastossa: 928

Yksikköhinta : 66,11000 €

Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

IRF60B217
DigiKeyn tuotenumero	IRF60B217-ND
Valmistaja	Infineon Technologies
Valmistajan tuotenumero	IRF60B217
Kuvaus	MOSFET N-CH 60V 60A TO220AB
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	N-kanavatyyppi 60 V 60A (Tc) 83W (Tc) Läpivientiaukko TO-220AB
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot
EDA/CAD-mallit	IRF60B217 -mallit

Tuotteen ominaisuudet

Näytä samankaltaiset tuotteet

Näytä tyhjät attribuutit

Kategoria Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET Yksittäiset FET-, MOSFET-transistorit	Vgs(th) (maks.) @ Id 3,7V @ 50µA
Valm. Infineon Technologies	Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs 66 nC @ 10 V
Sarja StrongIRFET™	Vgs (maks.) ±20V
Pakkaustapa Putki	Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds 2230 pF @ 25 V
Osan tila Vanhentunut	Tehohäviö (maks.) 83W (Tc)
FET-tyyppi N-kanavatyyppi	Toimintalämpötila -55°C – 175°C (TJ)
Teknologia MOSFET (metallioksidi)	Asennustyyppi Läpivientiaukko
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss) 60 V	Valmistajan laitepakkaus TO-220AB
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C 60A (Tc)	Pakkaus / kotelo TO-220-3
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On) 6V, 10V	Päätuotenumero IRF60B217
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs 9mOhm @ 36A, 10V