TPH3208PD Renesas Electronics Corporation | Yksittäiset FET-, MOSFET-transistorit

TPH3208PD on vanhentunut, eikä sitä enää valmisteta.

Saatavana olevat korvaavat osat:

Samankaltainen

STMicroelectronics

Varastossa: 1 496

Yksikköhinta : 4,46000 €

Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

TPH3208PD
DigiKeyn tuotenumero	TPH3208PD-ND
Valmistaja	Renesas Electronics Corporation
Valmistajan tuotenumero	TPH3208PD
Kuvaus	GANFET N-CH 650V 20A TO220AB
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	N-kanavatyyppi 650 V 20A (Tc) 96W (Tc) Läpivientiaukko TO-220AB
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot

Tuotteen ominaisuudet

Näytä samankaltaiset tuotteet

Näytä tyhjät attribuutit

Kategoria Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET Yksittäiset FET-, MOSFET-transistorit	Vgs(th) (maks.) @ Id 2,6V @ 300µA
Valm. Renesas Electronics Corporation	Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs 14 nC @ 8 V
Pakkaustapa Putki	Vgs (maks.) ±18V
Osan tila Vanhentunut	Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds 760 pF @ 400 V
FET-tyyppi N-kanavatyyppi	Tehohäviö (maks.) 96W (Tc)
Teknologia GaNFET (galliumnitridi)	Toimintalämpötila -55°C – 150°C
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss) 650 V	Asennustyyppi Läpivientiaukko
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C 20A (Tc)	Valmistajan laitepakkaus TO-220AB
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On) 10V	Pakkaus / kotelo TO-220-3
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs 130mOhm @ 13A, 8V