TP90H050WS Renesas Electronics Corporation | Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina

Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

TP90H050WS
DigiKeyn tuotenumero	1707-TP90H050WS-ND
Valmistaja	Renesas Electronics Corporation
Valmistajan tuotenumero	TP90H050WS
Kuvaus	GANFET N-CH 900V 34A TO247-3
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	N-kanavatyyppi 900 V 34A (Tc) 119W (Tc) Läpivientiaukko TO-247-3
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot

Tuotteen ominaisuudet

Tyyppi	Kuvaus	Valitse kaikki
Kategoria	Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET Yksittäiset FET-, MOSFET-transistorit
Valm.	Renesas Electronics Corporation
Sarja	-
Pakkaustapa	Putki
Osan tila	Vanhentunut
FET-tyyppi	N-kanavatyyppi
Teknologia	GaNFET (kaskadi Galliumnitridi-FET)
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss)	900 V
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C	34A (Tc)
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On)	10V
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs	63mOhm @ 22A, 10V
Vgs(th) (maks.) @ Id	4,4V @ 700µA
Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs	17.5 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±20V
Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds	980 pF @ 600 V
FET-ominaisuus	-
Tehohäviö (maks.)	119W (Tc)
Toimintalämpötila	-55°C – 150°C
Luokka	-
Hyväksyntä	-
Asennustyyppi	Läpivientiaukko
Valmistajan laitepakkaus	TO-247-3
Pakkaus / kotelo	TO-247-3
Päätuotenumero	TP90H050