TP90H050WS Renesas Electronics Corporation | Yksittäiset FET-, MOSFET-transistorit

Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

TP90H050WS
DigiKeyn tuotenumero	1707-TP90H050WS-ND
Valmistaja	Renesas Electronics Corporation
Valmistajan tuotenumero	TP90H050WS
Kuvaus	GANFET N-CH 900V 34A TO247-3
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	N-kanavatyyppi 900 V 34A (Tc) 119W (Tc) Läpivientiaukko TO-247-3
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot

Tuotteen ominaisuudet

Näytä samankaltaiset tuotteet

Näytä tyhjät attribuutit

Kategoria Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET Yksittäiset FET-, MOSFET-transistorit	Vgs(th) (maks.) @ Id 4,4V @ 700µA
Valm. Renesas Electronics Corporation	Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs 17.5 nC @ 10 V
Pakkaustapa Putki	Vgs (maks.) ±20V
Osan tila Vanhentunut	Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds 980 pF @ 600 V
FET-tyyppi N-kanavatyyppi	Tehohäviö (maks.) 119W (Tc)
Teknologia GaNFET (kaskadi Galliumnitridi-FET)	Toimintalämpötila -55°C – 150°C
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss) 900 V	Asennustyyppi Läpivientiaukko
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C 34A (Tc)	Valmistajan laitepakkaus TO-247-3
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On) 10V	Pakkaus / kotelo TO-247-3
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs 63mOhm @ 22A, 10V	Päätuotenumero TP90H050

Ilmoita tuotetiedoissa olevasta virheestä

Dokumentit & media

Ympäristö- ja vientiluokitukset

Lisäresurssit

Vanhentunut

Tätä tuotetta ei enää valmisteta.

TP90H050WS