TP65H300G4LSG-TR Renesas Electronics Corporation | Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina

Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

TP65H300G4LSG-TR
DigiKeyn tuotenumero	1707-TP65H300G4LSG-TR-ND - Rullattu teippi (TR) 1707-TP65H300G4LSG-TRCT-ND - Cut Tape (CT) 1707-TP65H300G4LSG-TRDKR-ND - Digi-Reel®
Valmistaja	Renesas Electronics Corporation
Valmistajan tuotenumero	TP65H300G4LSG-TR
Kuvaus	GANFET N-CH 650V 6.5A 3PQFN
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	N-kanavatyyppi 650 V 6,5A (Tc) 21W (Tc) Kiinnitys pintaan 3-PQFN (8x8)
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot
EDA/CAD-mallit	TP65H300G4LSG-TR -mallit

Tuotteen ominaisuudet

Tyyppi	Kuvaus	Valitse kaikki
Kategoria	Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET Yksittäiset FET-, MOSFET-transistorit
Valm.	Renesas Electronics Corporation
Sarja	-
Pakkaustapa	Rullattu teippi (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Osan tila	Valmistus lopetettu Digi-Keyllä
FET-tyyppi	N-kanavatyyppi
Teknologia	GaNFET (galliumnitridi)
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss)	650 V
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C	6,5A (Tc)
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On)	8V
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs	312mOhm @ 5A, 8V
Vgs(th) (maks.) @ Id	2,6V @ 500µA
Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs	9.6 nC @ 8 V
Vgs (maks.)	±18V
Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds	760 pF @ 400 V
FET-ominaisuus	-
Tehohäviö (maks.)	21W (Tc)
Toimintalämpötila	-55°C – 150°C (TJ)
Luokka	-
Hyväksyntä	-
Asennustyyppi	Kiinnitys pintaan
Valmistajan laitepakkaus	3-PQFN (8x8)
Pakkaus / kotelo	3-PowerDFN
Päätuotenumero	TP65H300