TP65H035G4WSQA Renesas Electronics Corporation | Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina

Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

TP65H035G4WSQA
DigiKeyn tuotenumero	1707-TP65H035G4WSQA-ND
Valmistaja	Renesas Electronics Corporation
Valmistajan tuotenumero	TP65H035G4WSQA
Kuvaus	650 V 46.5 GAN FET
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	N-kanavatyyppi 650 V 47,2A (Tc) 187W (Tc) Läpivientiaukko TO-247-3
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot

Tuotteen ominaisuudet

Tyyppi	Kuvaus	Valitse kaikki
Kategoria	Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET Yksittäiset FET-, MOSFET-transistorit
Valm.	Renesas Electronics Corporation
Sarja	-
Pakkaustapa	Putki
Osan tila	Vanhentunut
FET-tyyppi	N-kanavatyyppi
Teknologia	GaNFET (galliumnitridi)
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss)	650 V
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C	47,2A (Tc)
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On)	10V
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs	41mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (maks.) @ Id	4,8V @ 1mA
Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs	22 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±20V
Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds	1500 pF @ 400 V
FET-ominaisuus	-
Tehohäviö (maks.)	187W (Tc)
Toimintalämpötila	-55°C – 175°C (TJ)
Luokka	Autoteollisuus
Hyväksyntä	AEC-Q101
Asennustyyppi	Läpivientiaukko
Valmistajan laitepakkaus	TO-247-3
Pakkaus / kotelo	TO-247-3