Name: TP65H030G4PWS
Brand: Renesas Electronics Corporation
SKU: 1707-TP65H030G4PWS-ND
Price: 10.9436 EUR
Availability: InStock

Uutta DigiKeyllä

Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

TP65H030G4PWS
DigiKeyn tuotenumero	1707-TP65H030G4PWS-ND
Valmistaja	Renesas Electronics Corporation
Valmistajan tuotenumero	TP65H030G4PWS
Kuvaus	GANFET N-CH 650V 55.7A TO247-3
Valmistajan vakio toimitusaika	16 viikkoa
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	N-kanavatyyppi 650 V 55,7A (Tc) 192W (Tc) Läpivientiaukko TO-247-3
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot

Tuotteen ominaisuudet

Tyyppi	Kuvaus	Valitse kaikki
Kategoria	Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET Yksittäiset FET-, MOSFET-transistorit
Valm.	Renesas Electronics Corporation
Sarja	SuperGaN®
Pakkaustapa	Putki
Osan tila	Aktiivinen
FET-tyyppi	N-kanavatyyppi
Teknologia	GaNFET (kaskadi Galliumnitridi-FET)
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss)	650 V
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C	55,7A (Tc)
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On)	12V
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs	41mOhm @ 30A, 12V
Vgs(th) (maks.) @ Id	4,8V @ 1mA
Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs	24.5 nC @ 12 V
Vgs (maks.)	±20V
Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds	1500 pF @ 400 V
FET-ominaisuus	-
Tehohäviö (maks.)	192W (Tc)
Toimintalämpötila	-40°C – 150°C (TJ)
Luokka	-
Hyväksyntä	-
Asennustyyppi	Läpivientiaukko
Valmistajan laitepakkaus	TO-247-3
Pakkaus / kotelo	TO-247-3
Päätuotenumero	TP65H030